[實用新型]一種降低輸入電容的半導體器件

有效

• 申請號: 201822005167.3
• 申請日: 2018-11-30
• 公開（公告）號: CN209389000U
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 馬克強;沈建華;孟繁新;蔣興莉;胡強
• 申請（專利權）人: 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）;成都森未科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/335
• 代理公司: 貴陽睿騰知識產權代理有限公司 52114
• 代理人: 谷慶紅

本實用新型提供了一種降低輸入電容的半導體器件；包括第一導電類型襯底，第一導電類型襯底的第一主面內設有第二導電類型基區，第二導電類型基區內設置有第一導電類型深擴散區和第二導電類型深擴散區第二導電類型基區內設置有第二導電類型深擴散區。具有低輸入電容的半導體器件結構，將基區之間的部分柵氧層下面生長厚的第二絕緣層，這樣增大了絕緣層厚度，減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用。第二絕緣層上方的多晶是不連續的，這樣減小了形成電容的面積進而減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用，這樣減小了形成電容的面積進而減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用。

技術領域

本實用新型涉及一種降低輸入電容的半導體器件。

背景技術

在功率半導體領域，電壓控制型器件作為開關已經被廣泛應用。在高頻應用中，電壓控制型器件需要提高開關頻率，而開關速度與它的輸入電容密切相關。電容的充放電是限制其開關頻率提高的主要因素，尤其是反向傳輸電容，它的密勒效應對器件開關特性有重要影響。

如圖2所示傳統的電壓控制類器件，輸入電容包括柵極與有源區金屬電極之間電容Cgm，柵極與N+高濃度摻雜區之間的電容Cge，柵極與P基區電容Cgb，柵極與N-漂移區電容Cgd。電容C與形成電容的面

在傳統工藝中，多晶硅窗口之間的柵氧與P基區上方柵氧厚度一致，P基區窗口之間的多晶硅也是連在一起，PSG或BPSG上方的金屬也是連在一起的。這導致了大的輸入電容，在高頻應用中，由于大的輸入電容的影響，限制了開關頻率的提高。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種降低輸入電容的半導體器件。

本實用新型通過以下技術方案得以實現。

本實用新型提供的一種降低輸入電容的半導體器件；包括第一導電類型襯底，第一導電類型襯底的第一主面內設有第二導電類型基區，第二導電類型基區內設置有第一導電類型深擴散區和第二導電類型深擴散區第二導電類型基區內設置有第二導電類型深擴散區，第二導電類型深擴散區內設置第一導電類型深擴散區，第一導電類型深擴散區的第一主面上設有第一絕緣層，第一緣層上設有第一導電層，第一導電層和第一絕緣層上設有第三絕緣層，第三絕緣層上設有第二導電層；所述第一絕緣層下方增設第二絕緣層，所述第二絕緣層的厚度大于第一絕緣層。

所述第一導電類型襯底為硅襯底，第一導電類型襯底第一主面為 MOS結構所在面，第二主面為背面，所述第一導電類型高濃度摻雜區的擴散深度為0.1-1.0μm，第一導電類型高濃度摻雜區的寬度為 0.1-5μm，所述第一導電類型高濃度摻雜區包括兩個獨立的高濃度摻雜區，兩個獨立的高濃度摻雜區的摻雜濃度均高于第二導電類型基區；兩個高濃度摻雜區的一部分被多晶硅層覆蓋，另一部分位于基區注入窗口。

所述第一絕緣層為絕緣性金屬氧化物中的一種以及它們的任意組合。

所述第一絕緣層的厚度為10nm～1000nm。

所述的第二絕緣層為LPCVD或PECVD淀積的TEOS二氧化硅、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、氮化硅、絕緣性金屬氧化物中的一種或多種組合。

第二絕緣層設置在第一導電類型襯底上端，其兩端分別在基區120的上端。

第二絕緣層上方的第一導電層為寬度大于溝道寬度的多晶硅層。

第二絕緣層上端的第二導電層為間斷結構，第二導電層內間斷的寬度小于有源區電極窗口之間的距離。

本實用新型的有益效果在于：1、本發明的具有低輸入電容的半導體器件結構，將基區之間的部分柵氧層下面生長厚的第二絕緣層，這樣增大了絕緣層厚度，減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用。