[實(shí)用新型]一種用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822001513.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209260199U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王錦;劉建華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖南紅太陽(yáng)光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長(zhǎng)清;戴玲 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 環(huán)形冷卻腔 冷阱 冷阱外筒 內(nèi)筒 出水接頭 進(jìn)水接頭 分水片 隔水片 本實(shí)用新型 管道系統(tǒng) 冷卻裝置 設(shè)備真空 筒壁 指向 冷卻效果 兩端延伸 組件包括 分設(shè) 連通 封閉 延伸 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置,包括冷阱本體組件、進(jìn)水接頭和出水接頭,阱本體組件包括冷阱內(nèi)筒和冷阱外筒,冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒之間形成封閉的環(huán)形冷卻腔,進(jìn)水接頭和出水接頭均與環(huán)形冷卻腔連通,環(huán)形冷卻腔內(nèi)沿周向依次設(shè)有一個(gè)隔水片和至少一個(gè)分水片,隔水片固定在冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒的筒壁上,其兩端延伸至環(huán)形冷卻腔的兩端,進(jìn)水接頭和出水接頭分設(shè)于隔水片的兩側(cè),分水片固定在冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒的筒壁上,其一端延伸至環(huán)形冷卻腔的一端,另一端指向與環(huán)形冷卻腔的另一端且二者之間具有一定間隙,相鄰兩個(gè)分水片的指向相反。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、冷卻效果好的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及LPCVD設(shè)備的冷卻技術(shù),尤其涉及一種用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置。
背景技術(shù)
LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備)是一種通過(guò)氣體的化學(xué)反應(yīng)生成固體反應(yīng)物,并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設(shè)備。由于其制備的薄膜具有質(zhì)量?jī)?yōu)異、均勻性好、產(chǎn)量高特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于微電子等行業(yè)中氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的制備。工作狀態(tài)下,LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室內(nèi)將積聚大量的尾氣熱量,而抽冷卻水用的泵由于往復(fù)工作,高溫?zé)崃繒?huì)對(duì)泵造成損壞,影響工作泵穩(wěn)定性。目前,大部分反應(yīng)室只通過(guò)常溫冷卻的辦法降低反應(yīng)室溫度,顯然,不能充分降低反應(yīng)室溫度。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、冷卻效果好的用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
一種用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置,包括冷阱本體組件、進(jìn)水接頭和出水接頭,所述冷阱本體組件包括冷阱內(nèi)筒和套于冷阱內(nèi)筒外的冷阱外筒,所述冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒之間形成封閉的環(huán)形冷卻腔,所述進(jìn)水接頭和出水接頭均與環(huán)形冷卻腔連通,所述環(huán)形冷卻腔內(nèi)沿周向依次設(shè)有一個(gè)隔水片和至少一個(gè)分水片,所述隔水片固定在冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒的筒壁上,其兩端延伸至環(huán)形冷卻腔的兩端,所述進(jìn)水接頭和出水接頭分設(shè)于隔水片的兩側(cè),所述分水片固定在冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒的筒壁上,其一端延伸至環(huán)形冷卻腔的一端,另一端指向與環(huán)形冷卻腔的另一端且二者之間具有一定間隙,相鄰兩個(gè)分水片的指向相反。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述分水片設(shè)置三個(gè),水流沿著分水片移動(dòng)形成S形水流。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述進(jìn)水接頭和出水接頭均位于冷阱外筒的一端。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述冷阱內(nèi)筒和冷阱外筒為不銹鋼筒。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述進(jìn)水接頭和出水接頭均為直通擴(kuò)孔接頭。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述環(huán)形冷卻腔的兩端均通過(guò)連接法蘭密封,所述連接法蘭與冷阱內(nèi)筒和冷阱外筒之間設(shè)有高性能密封圈。
作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn),優(yōu)選的,所述冷阱本體組件的一端管壁上設(shè)有尾端接管法蘭組件,所述尾端接管法蘭組件由尾端法蘭接管和ISO80法蘭組成。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
本實(shí)用新型的用于LPCVD設(shè)備真空管道系統(tǒng)的冷卻裝置,通過(guò)設(shè)置冷阱內(nèi)筒和套于冷阱內(nèi)筒外的冷阱外筒,冷阱內(nèi)筒與冷阱外筒之間形成封閉的環(huán)形冷卻腔,進(jìn)水接頭和出水接頭均與環(huán)形冷卻腔連通,環(huán)形冷卻腔內(nèi)沿周向依次設(shè)有一個(gè)隔水片和三個(gè)分水片,隔水片和分水片將環(huán)形冷卻腔分成幾個(gè)條形格柵區(qū),相鄰兩個(gè)格柵區(qū)首位連通,冷卻水從進(jìn)水口進(jìn)入后沿著分水片移動(dòng)形成S形水流,最后從出水口流出,分水片和隔水片合理的結(jié)構(gòu)布置,有效增大了冷卻水與環(huán)形冷卻腔熱交換的有效接觸面積,從而帶走LPCVD系統(tǒng)反應(yīng)室內(nèi)積聚的尾氣熱量,此外,該裝置僅冷阱內(nèi)筒冷阱外筒、進(jìn)水接頭和出水接頭幾個(gè)部件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、安裝方便的特點(diǎn)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





