[實用新型]一種超低噪聲放大器有效
| 申請號: | 201821998701.9 | 申請日: | 2018-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN209375586U | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 宋佳穎;蔣一帆 | 申請(專利權)人: | 南京米樂為微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26;H03F1/32;H03F3/68 |
| 代理公司: | 南京中律知識產權代理事務所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 沈振濤 |
| 地址: | 211111 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放大單元 第三級 超低噪聲放大器 本實用新型 第一級 低噪聲放大器 輸出匹配網絡 輸入匹配網絡 定向耦合器 放大器件 兩級放大 匹配網絡 三級放大 輸出端連 輸入端連 噪聲系數 輸出端 輸入端 級聯 | ||
1.一種超低噪聲放大器,包括級聯的第一級放大單元、第二級放大單元和第三級放大單元,第一級放大單元的輸入端連有輸入匹配網絡,第三級放大單元的輸出端連有輸出匹配網絡,相鄰兩級放大單元之間連有級間匹配網絡,三級放大單元中均采用PHEMT管作為放大器件,其特征在于:第三級放大單元中的PHEMT管有兩個,僅在第三級放大單元的輸入端和輸出端設有定向耦合器。
2.根據權利要求1所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述設于第三級放大單元輸入端的定向耦合器為第一Lange電橋LG1,設于第三級放大單元輸出端的定向耦合器為第二Lange電橋LG2。
3.根據權利要求2所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述第二級放大單元包括第二PHEMT管P2,第三級放大單元包括第三PHEMT管P3和第四PHEMT管P4,第二級放大單元與第三級放大單元之間的級間匹配網絡包括第四電容C4,第四電容C4的一端連接第二PHEMT管P2的漏極,第四電容C4的另一端分別連接第七電感L7的一端和第一Lange電橋LG1的輸入端,第七電感L7的另一端接地,第一Lange電橋LG1的直通端連接第五電容C5的一端,第五電容C5的另一端分別連接第八電感L8的一端和第三PHEMT管P3的柵極,第八電感L8的另一端接地,第一Lange電橋LG1的耦合端連接第六電容C6的一端,第六電容C6的另一端分別連接第九電感L9的一端和第四PHEMT管P4的柵極,第九電感L9的另一端接地。
4.根據權利要求2所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述第三級放大單元包括第三PHEMT管P3和第四PHEMT管P4,第三級放大單元輸出端的輸出匹配網絡包括第七電容C7和第八電容C8,第七電容C7的一端連接第三PHEMT管P3的漏極,第七電容C7的另一端分別連接第十二電感L12的一端和第二Lange電橋LG2的耦合端,第十二電感L12的另一端接地,第八電容C8的一端連接第四PHEMT管P4的漏極,第八電容C8的另一端分別連接第十三電感L13的一端和第二Lange電橋LG2的直通端,第十三電感L13的另一端接地。
5.根據權利要求1所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述第一級放大單元包括第一PHEMT管P1,第二級放大單元包括第二PHEMT管P2,第一級放大單元與第二級放大單元之間的級間匹配網絡包括第二電容C2,第二電容C2的一端連接第一PHEMT管P1的漏極,第二電容C2的另一端分別連接第三電容C3的一端、第四電感L4的一端和第二PHEMT管P2的柵極,第三電容C3的另一端和第四電感L4的另一端均接地。
6.根據權利要求1所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述第一級放大單元包括第一PHEMT管P1,第一級放大單元輸入端的輸入匹配網絡包括第一電容C1,第一電容C1的一端作為超低噪聲放大器的輸入端,第一電容C1的另一端分別連接第一電感L1的一端和第一PHEMT管P1的柵極,第一電感L1的另一端接地。
7.根據權利要求1所述的超低噪聲放大器,其特征在于:所述第三級放大單元包括第三PHEMT管P3和第四PHEMT管P4;第三PHEMT管P3的源極連接第十電感L10的一端,第十電感L10的另一端連接第三自偏置網絡,第三自偏置網絡包括并聯的第十一電容C11和第十七電感L17,第十一電容C11的一端和第十七電感L17的一端均連接第十電感L10的另一端,第十一電容C11的另一端和第十七電感L17的另一端均接地;第四PHEMT管P4的源極連接第十一電感L11的一端,第十一電感L11的另一端連接第四自偏置網絡,第四自偏置網絡包括并聯的第十二電容C12和第十八電感L18,第十二電容C12的一端和第十八電感L18的一端均連接第十一電感L11的另一端,第十二電容C12的另一端和第十八電感L18的另一端均接地。
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