[實用新型]一種電容式壓力傳感器有效
| 申請號： | 201821995592.5 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN208921324U | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 繆建民;姚運強 | 申請（專利權）人： | 華景傳感科技(無錫)有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/14 | 分類號： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 單晶硅 襯底 單晶硅層 電容式壓力傳感器 第一區域 通孔 本實用新型 第二區域 金屬電極 單晶硅層表面 表面設置 區域形成 壓力檢測 金屬層 空腔 填充 鄰近 貫穿 | ||
1.一種電容式壓力傳感器，其特征在于，包括：
單晶硅襯底，所述單晶硅襯底包括第一區域以及圍繞所述第一區域的第二區域；
所述第一區域設置有絕緣層和單晶硅層，所述絕緣層設置于所述單晶硅層鄰近所述單晶硅襯底的一側；所述單晶硅層表面設置有多個通孔，所述絕緣層與所述多個通孔對應的區域形成有貫穿所述絕緣層的凹槽，使所述單晶硅層、所述單晶硅襯底和所述絕緣層之間形成空腔；所述通孔內填充有金屬層；
所述單晶硅層遠離所述絕緣層的表面設置有第一金屬電極；所述單晶硅襯底的所述第二區域設置有第二金屬電極。
2.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
所述通孔沿垂直于所述單晶硅襯底的方向的截面形狀為梯形，且所述梯形較小的底鄰近所述單晶硅襯底。
3.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
所述通孔的直徑小于或等于1微米；所述單晶硅層的厚度為1微米到5微米。
4.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于：
在所述第一區域的邊緣區域，所述單晶硅層與所述絕緣層呈臺階狀；
所述傳感器還包括密封層，所述密封層覆蓋所述第一區域的邊緣區域的所述單晶硅層和所述絕緣層，并覆蓋所述第二區域的非第二金屬電極區域。
5.根據權利要求1或4所述的傳感器，其特征在于，還包括：
鈍化層，所述鈍化層設置于所述單晶硅層遠離所述絕緣層的一側，所述鈍化層覆蓋所述第一區域的非第一金屬電極區域和所述第二區域的非第二金屬電極區域。
6.根據權利要求4所述的傳感器，其特征在于：
所述密封層的材料為氮化硅，所述密封層的厚度為1微米-3微米。
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