[實用新型]一種直流至微波頻率的透射電鏡原位高頻電學測試芯片有效
| 申請號： | 201821991580.5 | 申請日： | 2018-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN209495985U | 公開（公告）日： | 2019-10-15 |
| 發明（設計）人： | 車仁超;趙雪冰;張捷 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | G01N23/22 | 分類號： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬電極 透射電鏡 本實用新型 正面絕緣層 電學測試 金屬電路 微波頻率 原位測試 芯片 硅基片 絕緣層 測試技術領域 信號輸入電極 電子顯微鏡 并聯電阻 波形信號 測量電極 寄生電容 微波信號 信號輸入 原位測量 阻抗匹配 接地 電極 硅片 延伸 拓展 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種直流至微波頻率的透射電鏡原位高頻電學測試芯片，其特征在于，硅基片和硅基片兩面的絕緣層，以及在硅基片正面絕緣層上的金屬電路；所述金屬電路至少包含兩個金屬電極，分別用于接地和信號輸入；并且金屬電極在靠近樣品一側用50–75Ω的并聯電阻相連，以實現與微波信號輸入端的阻抗匹配；硅基片兩面的絕緣層為二氧化硅，或者為二氧化硅表面再生長有氮化硅，正面絕緣層總厚度1.5–5.0μm，使得電極與硅片的寄生電容小于1pF；金屬電極延伸至用于放置樣品的窗口上或窗口外0–20μm。
2.根據權利要求1所述的透射電鏡原位高頻電學測試芯片，其特征在于，在所述的信號輸入電極靠近樣品端，還引出有測量電極，用于信號的原位測量，測量電極的電阻為50–75Ω。
3.根據權利要求1或2所述的透射電鏡原位高頻電學測試芯片，其特征在于，所述的接地電極通過絕緣層通孔與硅基片連接。
4.根據權利要求1或2所述的透射電鏡原位高頻電學測試芯片，其特征在于，所述的硅基片厚度為100–300μm，所述金屬電路的厚度為20–200nm。
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