[實用新型]薄膜晶體管結構及像素結構

有效

• 申請號: 201821990105.6
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN209249464U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 尤彥文;許翼材;王文哲;張原豪;王文銓;張少倫
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;董云海

1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，包含：

柵極；

第一金屬墊和第二金屬墊，分別位于所述柵極的相對兩側；

柵極絕緣層，覆蓋所述柵極、所述第一金屬墊和所述第二金屬墊；

半導體通道層，設置于所述柵極和所述柵極絕緣層上方；

第一半導體墊和第二半導體墊，分別位于所述半導體通道層的相對兩側且分別位于所述第一金屬墊和所述第二金屬墊上；

源極和漏極，設置于所述半導體通道層上；以及

第三金屬墊和第四金屬墊，分別設置于所述第一半導體墊和所述第二半導體墊上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一金屬墊、所述第二金屬墊和所述柵極位于同一平面。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一半導體墊、所述第二半導體墊和所述半導體通道層位于同一平面。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第三金屬墊、所述第四金屬墊和所述漏極位于同一平面。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述柵極與所述第一金屬墊之間相隔第一距離，且所述柵極與所述第二金屬墊之間相隔第二距離，其中所述第一距離為1.5微米至4微米，且所述第二距離為1.5微米至4微米。

6.一種像素結構，其特征在于，包含：

主動陣列基板，包含至少一個如權利要求1所述的薄膜晶體管結構；

對向基板，與所述主動陣列基板相對設置；以及

至少一個間隙物，夾置于所述主動陣列基板與所述對向基板之間，且位于所述半導體通道層上。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述主動陣列基板還包含數據線連接所述源極，且所述數據線沿第一方向延伸并覆蓋部分的所述第一半導體墊和部分的所述第二半導體墊。

8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，所述第三金屬墊和所述第四金屬墊位于所述數據線的同一側。

9.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包含液晶層位于所述主動陣列基板與所述對向基板之間。

10.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述主動陣列基板還包含像素電極電性連接所述漏極。