[實用新型]具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821988008.3 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN209199936U | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳俊鵬;大藤徹;謝明達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中國臺灣苗粟*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 主動層 柵極足部 源極區(qū) 襯底層 緩沖層 漏極區(qū) 半導(dǎo)體裝置 柵極區(qū) 埋入 配置 | ||
1.一種具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括:
襯底層；
緩沖層，設(shè)置于所述襯底層上；
主動層，設(shè)置于所述緩沖層上，且所述主動層包括，
源極區(qū)，設(shè)置于所述主動層的一側(cè)邊上；
漏極區(qū)，設(shè)置于相對所述源極區(qū)的另一側(cè)邊；
柵極區(qū)，設(shè)置于所述源極區(qū)及所述漏極區(qū)之間，并由埋入所述主動層的柵極足部及配置在所述主動層上的柵極頭部；其中，
所述柵極足部的剖面寬度等于或小于100nm。
2.如權(quán)利要求1所述的具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極足部四個邊是由第一介電材料所包圍。
3.如權(quán)利要求2所述之具有T-Gate的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一介電材料是氮化硅。
4.如權(quán)利要求2所述之具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一介電材料是氧化硅。
5.如權(quán)利要求1所述之具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述襯底層的材料為硅。
6.如權(quán)利要求1所述之具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述緩沖層包括氮化鋁鎵層。
7.如權(quán)利要求1所述之具有T型柵極的III-V族半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述主動層包括至少一層氮化鎵層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
