[實用新型]一種閃存芯片

有效

• 申請號: 201821984476.3
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN209103826U
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 王紹迪
• 申請（專利權）人: 北京知存科技有限公司
• 主分類號: G11C29/26
• 分類號: G11C29/26;G11C29/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型提供一種閃存芯片，通過設置用于校準工作陣列的至少一個參考陣列，并且參考陣列中的閃存單元的數量大于或等于該閃存單元的可調權重等級N，以此實現工作陣列中閃存單元權重的離線更新校準，補償了漏電現象對閃存單元權重的影響，能夠提高存儲數據的精度。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路領域，尤其涉及一種閃存芯片。

背景技術

閃存芯片是一種長壽命的非易失性存儲器芯片，由于其斷電時仍能保存數據，所以閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS(基本程序)、PDA(個人數字助理)、數碼相機中保存資料等，應用十分廣泛。

但是，隨著閃存芯片使用時間的增加，其閃存單元(即閃存晶體管)存在漏電現象，由于閃存單元的權重(即閃存晶體管中存儲的數據)與閃存單元中存儲的電子數量相關，漏電會導致閃存單元中的電子數量減少，即閃存單元的權重(即閃存晶體管中存儲的數據)發生偏移，降低了存儲數據的精度。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供一種閃存芯片及其校準方法、裝置、設備和介質，能夠解決漏電導致存儲數據的精度降低的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案：、

第一方面，提供一種閃存芯片，包括：工作陣列以及用于校準該工作陣列的至少一個參考陣列；

該工作陣列和該參考陣列均由多個可調權重等級為N的閃存單元組成，該閃存單元具有N級可調權重；

該參考陣列中閃存單元數量大于或等于該可調權重等級N；

該參考陣列的N個閃存單元的初始權重值與N級可調權重一一對應。

進一步地，閃存芯片還包括：讀取電路，

該讀取電路連接該工作陣列以及該參考陣列，用于讀取該工作陣列以及該參考陣列中的閃存單元的權重值。

進一步地，閃存芯片還包括：編程電路，

該編程電路連接該工作陣列以及該參考陣列，用于控制該工作陣列以及該參考陣列中的閃存單元的權重值。

進一步地，閃存芯片還包括：行列譯碼器，

該行列譯碼器連接該工作陣列以及該參考陣列，用于選通該工作陣列以及該參考陣列中的閃存單元。

本實用新型提供的閃存芯片，通過設置用于校準工作陣列的至少一個參考陣列，并且參考陣列中的閃存單元的數量大于或等于該閃存單元的可調權重等級N，實現工作陣列中閃存單元權重的離線更新校準，補償了漏電現象對閃存單元權重的影響，能夠提高存儲數據的精度。

為讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本實用新型實施例閃存芯片的結構框圖一；

圖2是本實用新型實施例閃存芯片的電路示意圖一；

圖3是本實用新型實施例閃存芯片的電路示意圖二；

圖4是本實用新型實施例閃存芯片的電路示意圖三；

圖5是本實用新型實施例閃存芯片的電路示意圖四；

圖6是本實用新型實施例閃存芯片的電路示意圖五；