[實(shí)用新型]一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路及芯片和存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821978818.0 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN209118770U | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張登軍;安友偉;余作歡;李建球;楊小龍;劉大海;張亦鋒;李迪;陳曉君;逯釗琦 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥博雅半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 陳慧華 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新站區(qū)當(dāng)涂北路5*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 漏極 電壓差 本實(shí)用新型 存儲器字 存儲器 線選擇 源極 電路 芯片 有效降低電路 電路可靠性 字線控制 字線信號 輸出端 輸入端 | ||
1.一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路，其特征在于：包括三個(gè)P型mos管和三個(gè)N型mos管，所述三個(gè)P型mos管分別為MP0、MP1和MP2，所述三個(gè)N型mos管分別為MN0、MN1和MN2，所述MP0的漏極和MP1和漏極均連接到所述MP2的源極，所述MN0的漏極和MN1和漏極均連接到所述MN2的源極，所述MP2的漏極和MN2的漏極連接并引出字線信號輸出端WL，所述MP2的柵極和MN2的柵極分別作為字線控制輸入端PVmid和NVmind。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路，其特征在于：所述字線控制輸入端PVmid保持接地電壓GND，所述字線控制輸入端NVmid保持低位負(fù)電壓Vnn_L。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路，其特征在于：所述MP0的源極和MP1的源極的控制電壓為高電壓HV或接地電壓GND，所述MN0的源極和MN1的源極的控制電壓為負(fù)電壓Vnn或低位負(fù)電壓Vnn_L。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路，其特征在于：所述MP0和MP2的開關(guān)狀態(tài)相同，所述MN0和MN2的開關(guān)狀態(tài)相同。
5.一種存儲器芯片，其特征在于：包括有如權(quán)利要求1－4任一所述的一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路。
6.一種存儲器，設(shè)置有至少一個(gè)存儲器芯片，其特征在于：包括有如權(quán)利要求1－4任一所述的一種減少電壓差的存儲器字線選擇電路。
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