[實用新型]具有電極的半導體裝置有效
| 申請號： | 201821977145.7 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN209199933U | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 吳俊鵬;大藤徹;謝明達 | 申請（專利權）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中國臺灣苗粟*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸區域 電極 半導體裝置 平坦區域 投影形狀 傳統半導體裝置 電阻 容置 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有電極的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置包含多個溝槽；所述電極具有平坦區域以及接觸區域，所述接觸區域容置在所述溝槽中，所述平坦區域設置在所述接觸區域上；所述平坦區域在第一平面上的投影形狀是長方形，并且，所述接觸區域在第一平面上的投影形狀是弧形。
2.如權利要求1所述的具有電極的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置是由氮化鎵、硅、或是碳化硅所構成。
3.如權利要求1所述的具有電極的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置是n型半導體材質。
4.如權利要求1所述的具有電極的半導體裝置，其特征在于，所述電極是半導體器件的柵極。
5.如權利要求1所述的具有電極的半導體裝置，其特征在于，所述弧形的半徑范圍在1nm-100nm之間。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述平坦區域是金屬層。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述接觸區域具有金屬硅化物。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述溝槽是由多個凹陷或是塹渠所構成。
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