[實用新型]集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821975221.0 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN209087830U | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路電容器 電容極板 陣列結(jié)構(gòu) 導(dǎo)電覆蓋層 下電極層 襯底 共形 半導(dǎo)體存儲器 本實用新型 電容介質(zhì)層 金屬填充層 頂表面層 電極層 覆蓋 電容器 漏電 沉積金屬 電極結(jié)構(gòu) 互連結(jié)構(gòu) 電容 接合 側(cè)表面 低電阻 區(qū)塊狀 填充層 疊置 保證 | ||
本實用新型提供一種集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體存儲器,集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)包括:襯底;下電極層,突出的位于襯底上,由下電極層內(nèi)形成有電容孔;電容介質(zhì)層,共形地覆蓋下電極層的表面;上電極層,共形地覆蓋電容介質(zhì)層的表面;電容極板,區(qū)塊狀位于襯底上并形成于上電極層上,電容極板包括由下至上依次疊置的金屬填充層及共形地覆蓋金屬填充層的導(dǎo)電覆蓋層,導(dǎo)電覆蓋層構(gòu)成為上電極結(jié)構(gòu)的頂表面層及側(cè)表面層,以供接合至少一第一互連結(jié)構(gòu)于頂表面層上。本實用新型提供的集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)可以有效避免電容器漏電;同時,在形成電容極板時可僅沉積金屬填充層/導(dǎo)電覆蓋層作為電容極板即可保證低電阻。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于半導(dǎo)體器件及制造領(lǐng)域,特別是涉及一種集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有的電容器中,由于上電極層材料及沉積工藝的限制,在電容孔內(nèi)填充上電極材料時使容易在上電極結(jié)構(gòu)在電容孔內(nèi)形成有空洞,使得電容器的電阻值存在差異,從而可能導(dǎo)致漏電。
為了改善上述問題,現(xiàn)有的一種改善方法為在電容結(jié)構(gòu)頂部形成電容極板(PLATE),所述電容極板會對電容內(nèi)部進(jìn)行一定程度的填充,以起到減少電阻不均勻的問題。然而,現(xiàn)有的電容極板存在厚度較厚及工藝步驟復(fù)雜等問題。
實用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種電容器結(jié)構(gòu)陣列、半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中的電容器存在的電阻值存在差異,從而可能導(dǎo)致漏電問題,以及形成電容極板存在的電容極板厚度較厚及工藝步驟復(fù)雜的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu),所述集成電路電容器陣列結(jié)構(gòu)包括:
襯底;
下電極層,突出的位于所述襯底上,由所述下電極層內(nèi)形成有電容孔;
電容介質(zhì)層,共形地覆蓋所述下電極層的表面;
上電極層,共形地覆蓋所述電容介質(zhì)層的表面;
電容極板,區(qū)塊狀位于所述襯底上并形成于所述上電極層上,所述電容極板包括由下至上依次疊置的金屬填充層及共形地覆蓋所述金屬填充層的導(dǎo)電覆蓋層,所述導(dǎo)電覆蓋層構(gòu)成為上電極結(jié)構(gòu)的頂表面層及側(cè)表面層,以供接合至少一第一互連結(jié)構(gòu)于所述頂表面層上。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,還包括上電極填充體,位于所述上電極層和所述電容極板之間并且無孔隙填滿所述電容孔,所述電容極板自所述上電極填充體的頂面延伸至所述襯底位于所述上電極填充體覆蓋區(qū)域外的周邊表面。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述上電極填充體直接貼附于所述上電極層的表面還形成于相鄰的所述下電極層之間,所述上電極填充體具有頂面及側(cè)面,所述金屬填充層直接貼附于所述上電極填充體的所述頂面和所述側(cè)面。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述金屬填充層填充于所述電容孔,以電連接至所述上電極層并使所述電容孔內(nèi)為無孔隙填滿形態(tài)。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述金屬填充層直接貼附于所述上電極層的表面,且所述金屬填充層還形成于所述下電極層之間。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述上電極層無孔隙填滿所述電容孔,并電連接至所述電容極板。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,還包括底層支撐層、中間支撐層及頂層支撐層,皆形成于所述襯底上并連接、支撐所述下電極層;所述底層支撐層位于所述下電極層的底部外圍,所述中間支撐層位于所述下電極層的中間部位,所述頂層支撐層位于所述下電極層的開口處外圍。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,還包括:
介質(zhì)層,形成于所述襯底上,并覆蓋于所述電容極板的上表面、側(cè)面及所述襯底上的周邊表面;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長鑫存儲技術(shù)有限公司,未經(jīng)長鑫存儲技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821975221.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:功率電子子模塊及其組件
- 下一篇:晶圓和半導(dǎo)體器件





