[實用新型]一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821972671.4
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN209016061U
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁力鵬;徐吉程;范瑋
• 申請（專利權(quán)）人: 華羿微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽型截止環(huán)設(shè)置在功率半導(dǎo)體器件的截止區(qū)(7)，所述溝槽型截止環(huán)包括環(huán)狀的第二溝槽(13)，第二溝槽(13)的內(nèi)壁表面設(shè)置有第一柵氧化層(3)，第一柵氧化層(3)內(nèi)填充有第一多晶硅(4)，第一多晶硅(4)內(nèi)的溝槽內(nèi)壁表面設(shè)置有第二柵氧化層(5)，第二柵氧化層(5)內(nèi)填充有第二多晶硅(8)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，功率半導(dǎo)體器件包括N型輕摻雜外延層(2)、有源區(qū)(6)和有源區(qū)(6)外圍的截止區(qū)(7)；有源區(qū)(6)和截止區(qū)(7)均設(shè)置在N型輕摻雜外延層(2)內(nèi)部的上部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，N型輕摻雜外延層(2)的底部固定設(shè)置有N型重摻雜半導(dǎo)體襯底(1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，N型輕摻雜外延層(2)的上表面覆蓋有隔離氧化層(10)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，隔離氧化層(10)的外沿邊部設(shè)置有環(huán)狀的金屬電極(11)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任意一項所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，N型輕摻雜外延層(2)的上部注入有P型主結(jié)(9)；P型主結(jié)(9)的上表面為N型輕摻雜外延層(2)的上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，有源區(qū)(6)內(nèi)開設(shè)有若干個環(huán)狀的第一溝槽(12)；第一溝槽(12)的內(nèi)壁表面設(shè)置有第一柵氧化層(3)，第一柵氧化層(3)內(nèi)填充有第一多晶硅(4)；第一溝槽(12)的兩側(cè)外壁與P型主結(jié)(9)及N型輕摻雜外延層(2)均接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，第二溝槽(13)的兩側(cè)外壁與P型主結(jié)(9)及N型輕摻雜外延層(2)均接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率半導(dǎo)體器件溝槽型截止環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一多晶硅(4)和第二多晶硅(8)的摻雜類型、濃度相同。