[實用新型]用于GaN功率集成模塊的欠壓封鎖電路

有效

• 申請號: 201821963630.9
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN208971128U
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 胡一波;黃偉;程德明;胡文新;丁士鳳;許晶晶
• 申請（專利權）人: 黃山市祁門新飛電子科技發展有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 葉綠林;楊大慶

1.一種用于GaN功率集成模塊的欠壓封鎖電路，其特征是：包括3個電壓檢測電阻、1個偏置電阻、1個電壓鉗位二極管、1個濾波電容C1、8個NMOS管和8個PMOS管；

所述用于GaN功率集成模塊的欠壓封鎖電路的連接關系為：第一電壓檢測電阻R1的上端接高側電壓VCC，第一電壓檢測電阻R1的下端接第二電壓檢測電阻R2的上端、濾波電容C1的上端和第一NMOS管M1的柵端；第二電壓檢測電阻R2的下端接第三電壓檢測電阻R3的上端和第十六NMOS管M16的漏端；第三電壓檢測電阻R3和濾波電容C1的下端均接低側電壓COM；第一NMOS管M1的漏端連接到第三PMOS管M3的漏端和柵端，還連接到第四PMOS管的M4的柵端；第一NMOS管M1的源端連接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的柵端連接到鉗位二極管DZ1的正端和第六PMOS管M6的漏端，第二NMOS管M2的漏端連接到第四PMOS管的M4的漏端和第九PMOS管M9的柵端；第五NMOS管M5的漏端連接到第一NMOS管M1的源端和第二NMOS管M2的源端，第五NMOS管M5的柵端連接到第十NMOS管M10的和第十一NMOS管M11的柵端，第五NMOS管M5的柵端還連接到第十NMOS管M10的漏端和第八PMOS管M8的漏端；第六PMOS管M6的柵端連接到第七PMOS管M7的柵端和漏端，以及偏置電阻R4的上端；第六PMOS管M6的柵端還連接到第八PMOS管M8的柵端；第十一NMOS管M11的漏端連接到第九PMOS管M9的漏端，還連接到第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的柵端；第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的漏端相連，還連接到第十五NMOS管M15和第十四PMOS管M14的柵端；第十五NMOS管M15和第十四PMOS管M14的漏端相連，還連接到第十六NMOS管M16的柵端；除第一NMOS管M1的源端和第二NMOS管M2之外的其他NMOS管的源端均連接到低側電壓COM，所有NMOS管的襯底端均連接到低側電壓COM，所有PMOS管的源端均連接到高側電壓VCC，所有PMOS管的襯底端均連接到高側電壓VCC。

2.根據權利要求1所述的用于GaN功率集成模塊的欠壓封鎖電路，其特征是：R4、DZ1、M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10和M11構成的電路為一個遲滯電壓比較器，比較器的負端為M1的柵端電壓，比較器的正端電壓為參考電壓。