[實(shí)用新型]一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821960798.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209110109U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴勇;杜應(yīng)流;葛丙明;程干;馮文剛;施長(zhǎng)坤;陶元亮;蘇鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽應(yīng)流航源動(dòng)力科技有限公司
• 主分類號(hào): B22C9/04
• 分類號(hào): B22C9/04;B22C9/08;C30B11/14;C30B29/52
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 沈尚林

1.一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，包括底板(1)，其特征在于，所述底板(1)的頂側(cè)固定安裝有支柱(2)，支柱(2)的頂側(cè)固定安裝有澆口杯(3)，支柱(2)的一側(cè)設(shè)有位于底板(1)上方的亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)，所述亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)內(nèi)設(shè)有單晶動(dòng)葉(5)，單晶動(dòng)葉(5)底側(cè)活動(dòng)安裝有鑄件蠟?zāi)?6)，鑄件蠟?zāi)?6)的底側(cè)活動(dòng)安裝有選晶器(7)，亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)的底側(cè)固定安裝有籽晶模殼(8)，籽晶模殼(8)的頂側(cè)開(kāi)設(shè)有間隙槽(10)，間隙槽(10)內(nèi)活動(dòng)安裝有籽晶段(9)，籽晶段(9)的頂側(cè)延伸至間隙槽(10)外并活動(dòng)安裝在選晶器(7)的底側(cè)上，籽晶段(9)靠近支柱(2)的一側(cè)活動(dòng)安裝有位于間隙槽(10)外的澆注管道(11)，澆注管道(11)的頂側(cè)固定安裝在澆口杯(3)靠近亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)的一側(cè)上，澆注管道(11)的上方設(shè)有活動(dòng)安裝在澆口杯(3)靠近亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)一側(cè)上的上澆道(12)，上澆道(12)的底側(cè)延伸至亞組樹(shù)結(jié)構(gòu)(4)內(nèi)并活動(dòng)安裝在單晶動(dòng)葉(5)的頂側(cè)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，其特征在于，所述單晶動(dòng)葉(5)上設(shè)有安裝板(17)，安裝板(17)的頂側(cè)固定安裝有葉身(16)，單晶動(dòng)葉(5)的一側(cè)設(shè)有延伸段(18)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，其特征在于，所述單晶動(dòng)葉(5)底側(cè)固定安裝有榫頭(19)，榫頭(19)的兩側(cè)均設(shè)有頂針凸臺(tái)(20)，單晶動(dòng)葉(5)的兩側(cè)均設(shè)有封嚴(yán)板(21)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，其特征在于，所述選晶器(7)的頂側(cè)固定安裝有五邊形凸起(15)，五邊形凸起(15)與鑄件蠟?zāi)?6)的底側(cè)相適配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，其特征在于，所述選晶器(7)的底側(cè)固定安裝有定位塊(13)，定位塊(13)的底側(cè)開(kāi)設(shè)有定位槽(14)，定位槽(14)與籽晶段(9)的頂側(cè)相適配。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可精控三維晶體取向的鎳基單晶高溫合金鑄造設(shè)備，其特征在于，所述間隙槽(10)的底側(cè)內(nèi)壁上活動(dòng)安裝有緩沖片，緩沖片與籽晶段(9)的底側(cè)相接觸。