[實(shí)用新型]一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821954535.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209029401U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬(wàn)智;劉芬;林曉珊;徐培強(qiáng);張銀橋;汪洋;王向武
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南昌凱迅光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0687
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0687;H01L31/0352
• 代理公司: 南昌大牛專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 36135
• 代理人: 喻莎

1.一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，包括GulnGaSe子電池(1)、GaAs襯底(3)、GalnAs子電池(6)以及GalnP子電池(8)，其特征在于，所述GaAs襯底(3)為雙面拋光的n型單晶片結(jié)構(gòu)，所述GaAs襯底(3)的下表面設(shè)置有GaAs緩沖層I(2)，所述GulnGaSe子電池(1)沉積于GaAs緩沖層I(2)的下表面位置，所述GaAs襯底(3)的上表面從下至上依次沉積有GalnAs子電池(6)和GalnP子電池(8)，所述GaAs襯底(3)與GalnAs子電池(6)之間通過(guò)GaAs緩沖層II(4)和GaAs隧穿結(jié)(5)連接，所述GaAs緩沖層II(4)位于GaAs襯底(3)和GaAs隧穿結(jié)(5)之間，所述GalnAs子電池(6)和GalnP子電池(8)之間是通過(guò)GaInP/AlGaAs隧穿結(jié)(7)進(jìn)行連接，所述GalnP子電池(8)的上表面沉積有厚度為200-800nm的n型GaAs帽層(9)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述GulnGaSe子電池(1)從下至上依次濺射有厚度為600-800nm的MoNa層(101)、厚度為300-350nm的Mo層(102)、厚度為450-600nm的CuInGaSe層(103)、厚度為900-1200nm的CdS緩沖層(104)、厚度為300-400nm的i-ZnO層(105)以及厚度為500-800nm的TCO層(106)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述GalnAs子電池(6)從下至上依次濺射有厚度為50-80nm的P型AlGaAs/AlGaInAs(DBR)反射層(601)、厚度為120-150nm的P型GaInP背場(chǎng)層(602)、厚度為30-50nm的P型GaAs基區(qū)層(603)、厚度為150-200nm的n型GaAs發(fā)射區(qū)層(604)以及厚度為30-60nm的n型AlInP窗口層(605)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述GalnP子電池(8)從下至上依次濺射有厚度為800-1000nm的P型AlGaInP背場(chǎng)層(801)、厚度為300-600nm的P型GaInP基區(qū)層(802)、厚度為200-250nm的n型GaInP發(fā)射區(qū)層(803)以及厚度為150-300nm的n型AlInP窗口層(804)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述雙面拋光的n型GaAs襯底(3)下表面采用磁控濺射方法(PVD)濺射GulnGaSe子電池(1)，且雙面拋光的n型GaAs襯底(3)上表面采用MOCVD(金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)或MBE(分子束外延生長(zhǎng)技術(shù))沉積GalnAs子電池(6)和GalnP子電池(8)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙面拋光襯底的空間三結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述GaInP/GaAs/CuInGaSe三結(jié)電池的帶隙組合為1.9eV/1.42eV/1.1eV。