[實(shí)用新型]一種改進(jìn)衰減片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821954443.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209104337U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王歡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海昕訊微波科技有限公司;江蘇昕訊線纜科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 分類(lèi)號(hào): H01P1/22
• 代理公司: 蘇州市新蘇專利事務(wù)所有限公司 32221
• 代理人: 張國(guó)增

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種改進(jìn)的衰減片，其包括：基板、自所述基板的第一端邊中部向第二端邊延伸形成的第一金屬電極區(qū)、自所述基板的第二端邊中部向第一端邊延伸形成的第二金屬電極區(qū)、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第一側(cè)邊的第一金屬接地區(qū)、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第二側(cè)邊的第二金屬接地區(qū)、自第一金屬接地區(qū)向第二金屬接地區(qū)延伸的薄膜電阻區(qū)。所述衰減片包括第一凹陷部和第二凹陷部，第一金屬電極區(qū)的位于第一端邊的兩個(gè)角形成臺(tái)階，第二金屬電極區(qū)的位于第二端邊的兩個(gè)角形成臺(tái)階。通過(guò)改變衰減片的形狀等參數(shù)，改善了衰減片的電性指標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及到衰減片，具體地說(shuō)，特別涉及到一種改進(jìn)的衰減片。

背景技術(shù)

同軸衰減器是微波元件的一種，廣泛應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)等設(shè)備中，同軸衰減器必須要滿足系統(tǒng)的電氣和機(jī)械性能要求，同時(shí)要在批量生產(chǎn)中做到工藝簡(jiǎn)單、合格率高、生產(chǎn)成本低。

衰減片是同軸衰減器中的關(guān)鍵部件，其電性指標(biāo)的好壞直接決定了衰減器的電性指標(biāo)。

因此，特別需要一種改進(jìn)的性能優(yōu)越的衰減片。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種性能更為優(yōu)越的衰減片。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種衰減片，其包括：基板、自所述基板的第一端邊中部向第二端邊延伸形成的第一金屬電極區(qū)、自所述基板的第二端邊中部向第一端邊延伸形成的第二金屬電極區(qū)、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第一側(cè)邊的第一金屬接地區(qū)、延伸于所述基板的第一端邊和第二端邊之間的靠近所述基板的第二側(cè)邊的第二金屬接地區(qū)、自第一金屬接地區(qū)向第二金屬接地區(qū)延伸的薄膜電阻區(qū)，該薄膜電阻區(qū)與第一金屬接地區(qū)、第二金屬接地區(qū)、第一金屬電極區(qū)、第二金屬電極區(qū)電性相連，所述衰減片的第一端邊的形成第一金屬電極區(qū)的部分向第二端邊凹陷形成第一凹陷部，所述衰減片的第二端邊的形成第二金屬電極區(qū)的部分向第一端邊凹陷形成第二凹陷部，第一金屬電極區(qū)的位于第一端邊的兩個(gè)角形成臺(tái)階，第一金屬電極區(qū)的寬度大于第一凹陷部的寬度，第二金屬電極區(qū)的位于第二端邊的兩個(gè)角形成臺(tái)階，第二金屬電極區(qū)的寬度大于第二凹陷部的寬度。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基板的四個(gè)角為階梯角，第二金屬接地區(qū)和第一金屬接地區(qū)自階梯角的邊緣開(kāi)始延伸，從而使得第二金屬接地區(qū)和第一金屬接地區(qū)的長(zhǎng)度較所述基板的第一端邊和第二端邊之間的長(zhǎng)度小

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基板的四個(gè)角為階梯角，第二金屬接地區(qū)和第一金屬接地區(qū)自階梯角的邊緣間隔一段距離再開(kāi)始延伸。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述的衰減片還包括：形成于所述基板的第一端面上的第一電極接觸區(qū)和形成于所述基板的第二端面上的第二電極接觸區(qū)，該第一電極接觸區(qū)與所述第一金屬電極區(qū)電性相連，該第二電極接觸區(qū)與所述第二金屬電極區(qū)電性相連。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基板的材質(zhì)為氮化鋁、氧化鋁或氧化鈹，第一金屬接地區(qū)、第二金屬接地區(qū)、第一金屬電極區(qū)和第二金屬電極區(qū)的材質(zhì)為T(mén)aN、TiW和/或Au，所述薄膜電阻區(qū)為T(mén)aN；所述基板的厚度從0.1mm至0.8mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)改變衰減片的形狀等參數(shù)，改進(jìn)其電性指標(biāo)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型中采用改進(jìn)的衰減片的同軸衰減器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型中內(nèi)導(dǎo)體和爪簧的一個(gè)狀態(tài)的組裝示意圖，其中所述爪簧未形變；

圖3為本實(shí)用新型中內(nèi)導(dǎo)體和爪簧的另一個(gè)狀態(tài)的組裝示意圖，其中所述爪簧因外部推力而發(fā)生形變；

圖4為爪簧的側(cè)面剖視示意圖；