[實用新型]一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片有效
| 申請號: | 201821954010.9 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN209029400U | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 萬智;劉芬;林曉珊;徐培強;張銀橋;汪洋;王向武 | 申請(專利權)人: | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/041;H01L31/0352;H01L31/054;H01L21/683 |
| 代理公司: | 南昌大牛專利代理事務所(普通合伙) 36135 | 代理人: | 喻莎 |
| 地址: | 330000 江西省南昌市新*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 電池層 抗輻射 外延片 本實用新型 輻照增強 空間電池 上端 反射層 緩沖層 上表面 隧穿結 電池 光電轉化效率 頂部設置 輻射通量 厚度增加 結構科學 聚光效率 空間質子 重復利用 剝離層 成核層 高能量 基區層 聚光層 阻隔層 質子 核層 剝離 損傷 停留 能源 | ||
1.一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,包括襯底(1),其特征在于,所述襯底(1)的上端安裝有成核層(2),所述成核層(2)的上端設置有緩沖層(3),所述緩沖層(3)的上表面安裝有第一隧穿結層(4),所述第一隧穿結層(4)的頂部設置有反射層(5),所述反射層(5)的上表面固定有中電池層(6),所述中電池層(6)的上端設置有第二隧穿結層(7),所述第二隧穿結層(7)的上表面設置有頂電池層(8)。
2.根據權利要求1所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述襯底(1)的表面設置有襯底保護層(11),所述襯底保護層(11)的上表面設置有氧化剝離層(12),且襯底保護層(11)的厚度為0.2μm,所述氧化剝離層(12)的厚度為0.3μm。
3.根據權利要求1所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述成核層(2)的厚度為0.01μm,所述緩沖層(3)的厚度為0.5μm,所述第一隧穿結層(4)的厚度為0.01μm-0.03μm,所述反射層(5)的厚度為1.8μm,所述第二隧穿結層(7)的厚度為0.01μm-0.03μm。
4.根據權利要求1所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述中電池層(6)包括第一背場層(61),所述第一背場層(61)的頂部設置有第一基區層(62),所述第一基區層(62)的上表面設置有第一發射區層(63),所述第一發射區層(63)的頂部安裝有第一窗口層(64),所述第一窗口層(64)的上端設置有阻隔層(65)。
5.根據權利要求4所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述第一背場層(61)的厚度為0.07μm,所述第一基區層(62)的厚度為2.1μm,所述第一發射區層(63)的厚度為0.1μm,所述第一窗口層(64)的厚度為0.1μm,所述阻隔層(65)是一種AlGaAs材質的構件,且阻隔層(65)的厚度為2μm。
6.根據權利要求1所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述頂電池層(8)包括第二背場層(81),所述第二背場層(81)的上表面設置有第二基區層(82),所述第二基區層(82)的頂部安裝有第二發射區層(83),所述第二發射區層(83)的上端設置有第二窗口層(84),所述第二窗口層(84)的上表面安裝有歐姆接觸層(85),所述歐姆接觸層(85)的上表面設置有聚光層(86),所述聚光層(86)的上端設置有防水層(87)。
7.根據權利要求6所述的一種具有抗輻射能力的抗輻照增強型空間電池外延片,其特征在于,所述第二背場層(81)的厚度為0.1μm,所述第二基區層(82)的厚度為0.7μm,所述第二發射區層(83)的厚度為0.1μm,所述第二窗口層(84)的厚度為0.1μm,所述歐姆接觸層(85)的厚度為0.5μm,所述聚光層(86)是一種聚光膜材質的構件,且聚光層(86)的厚度為0.15μm,所述防水層(87)是一種防水透氣膜材質的構件,且防水層(87)的厚度為0.1μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





