[實用新型]一種刻蝕槽有效
| 申請號: | 201821951748.X | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN209000882U | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 朱紋哲;何安康;閆鵬飛;費正洪 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 224431 江蘇省鹽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕槽 環形網帶 傳動軸 本實用新型 輸送機構 刻蝕 太陽能電池技術 太陽能電池 刻蝕效率 兩端轉動 體內循環 波動性 輸送面 硅片 回轉 液位 轉動 環繞 概率 | ||
1.一種刻蝕槽,其特征在于,包括刻蝕槽本體(20)和與所述刻蝕槽本體(20)連接的輸送機構,其中,所述輸送機構包括:
-兩根傳動軸(21),兩根所述傳動軸(21)分別與所述刻蝕槽本體(20)的兩端轉動連接;
-環形網帶(22),所述環形網帶(22)環繞在兩根所述傳動軸(21)上并由兩根所述傳動軸(21)帶動回轉。
2.根據權利要求1所述的刻蝕槽,其特征在于,所述環形網帶(22)包括邊框(23)和與所述邊框(23)連接并形成網格的經線(24)和緯線(25),所述經線(24)和所述緯線(25)上均設有呈螺旋狀的凹槽(26)。
3.根據權利要求2所述的刻蝕槽,其特征在于,所述經線(24)和所述緯線(25)的直徑為3mm-5mm。
4.根據權利要求2所述的刻蝕槽,其特征在于,所述凹槽(26)的直徑為2.5mm-4.5mm。
5.根據權利要求2所述的刻蝕槽,其特征在于,所述邊框(23)與所述傳動軸(21)嚙合。
6.根據權利要求1-5任一項所述的刻蝕槽,其特征在于,所述刻蝕槽本體(20)于所述環形網帶(22)的輸送面下方轉動設有用于支撐所述環形網帶(22)的多個輥輪(27)。
7.根據權利要求6所述的刻蝕槽,其特征在于,所述輥輪(27)的外周面上周向設有多個沿其周向分布的環槽(28)。
8.根據權利要求6所述的刻蝕槽,其特征在于,所述輥輪(27)的個數為3個,且等間距分布在所述刻蝕槽本體(20)中。
9.根據權利要求6所述的刻蝕槽,其特征在于,所述環形網帶(22)與所述輥輪(27)的材質均為PVDF。
10.根據權利要求6所述的刻蝕槽,其特征在于,所述輥輪(27)的直徑為30mm-40mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





