[實(shí)用新型]一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821949562.0
• 申請日: 2018-11-24
• 公開（公告）號: CN208970520U
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張意濃
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門精倫電子有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L33/40;H01L33/42
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本實(shí)用新型提出一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜，涉及金屬化薄膜技術(shù)領(lǐng)域，設(shè)于基材及電極之間，包括第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)于所述基材的一側(cè)面，所述第二導(dǎo)電層設(shè)于所述第一導(dǎo)電層另一側(cè)表面，所述第二導(dǎo)電層另一側(cè)面則與所述電極接觸，用作所述第一導(dǎo)電層與所述電極之間的導(dǎo)電媒介。本實(shí)用新型通過第一導(dǎo)電層有效防止因受基材表面粗糙度而對第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電性產(chǎn)生影響，并且第二導(dǎo)電層可有效降低薄膜結(jié)構(gòu)相對電極產(chǎn)生的接觸電阻，對導(dǎo)電性有明顯提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及金屬化薄膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜。

背景技術(shù)

在光電元件及顯示領(lǐng)域，金屬導(dǎo)電薄膜作為傳導(dǎo)橋梁，為一種不可或缺的配件。但在光電元件中，受其所附著的基材表面粗糙度的影響，如果基材表面的粗糙度過大，會導(dǎo)致薄膜的結(jié)晶性往較差方向成長，影響薄膜的導(dǎo)電性，并且或與電極產(chǎn)生極大的接觸電阻，導(dǎo)致光電元件運(yùn)轉(zhuǎn)效率降低，無法滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜。

本實(shí)用新型具體采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜，設(shè)于基材及電極之間，包括第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)于所述基材的一側(cè)面，所述第二導(dǎo)電層設(shè)于所述第一導(dǎo)電層另一側(cè)表面，所述第二導(dǎo)電層另一側(cè)面則與所述電極接觸，用作所述第一導(dǎo)電層與所述電極之間的導(dǎo)電媒介。

作為優(yōu)選，所述第一導(dǎo)電層的厚度介于100nm～500nm。

作為優(yōu)選，所述第一導(dǎo)電層的厚度為300nm。

作為優(yōu)選，所述第一導(dǎo)電層為非結(jié)晶透明導(dǎo)電薄膜。

作為優(yōu)選，所述第二導(dǎo)電層的厚度介于25nm～150nm。

作為優(yōu)選，所述第二導(dǎo)電層的厚度為50nm。

作為優(yōu)選，所述第二導(dǎo)電層為結(jié)晶薄膜。

本實(shí)用新型提供的低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜，其有益效果在于：通過第一導(dǎo)電層1有效防止因受基材表面粗糙度而對第二導(dǎo)電層2的導(dǎo)電性產(chǎn)生影響，并且第二導(dǎo)電層2可有效降低薄膜結(jié)構(gòu)相對電極產(chǎn)生的接觸電阻，對導(dǎo)電性有明顯提升。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為進(jìn)一步說明各實(shí)施例，本實(shí)用新型提供有附圖。這些附圖為本實(shí)用新型揭露內(nèi)容的一部分，其主要用以說明實(shí)施例，并可配合說明書的相關(guān)描述來解釋實(shí)施例的運(yùn)作原理。配合參考這些內(nèi)容，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能理解其他可能的實(shí)施方式以及本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。圖中的組件并未按比例繪制，而類似的組件符號通常用來表示類似的組件。

現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本實(shí)施例提供的一種低電阻的高導(dǎo)電金屬化薄膜，設(shè)于基材3及電極4之間，包括第一導(dǎo)電層1及第二導(dǎo)電層2，第一導(dǎo)電層1設(shè)于基材3的一側(cè)面，第二導(dǎo)電層2設(shè)于第一導(dǎo)電層1另一側(cè)表面，第二導(dǎo)電層2另一側(cè)面則與電極4接觸，用作第一導(dǎo)電層1與電極4之間的導(dǎo)電媒介。其中，

第一導(dǎo)電層1的厚度介于100nm～500nm，并通過蒸鍍或?yàn)R鍍的方式物理氣相沉積在基材的側(cè)面。第一導(dǎo)電層1為非結(jié)晶透明導(dǎo)電薄膜，優(yōu)選銦鋅氧化物材質(zhì)，厚度以300nm為最佳，結(jié)構(gòu)上為無序狀態(tài)，因此在沉積后不會受到基材表面粗糙度的影響，保持良好的導(dǎo)電性。

第二導(dǎo)電層2的厚度介于25nm～150nm，也通過蒸鍍或?yàn)R鍍的方式物理氣相沉積在第一導(dǎo)電層表面上。第二導(dǎo)電層2為結(jié)晶薄膜，優(yōu)選氧化鋅材質(zhì)，以厚度為50nm時接觸電阻及光穿透度為最佳，具有高導(dǎo)電及高透光的特性。