[實用新型]一種太陽能多晶硅片有效
| 申請號: | 201821944349.0 | 申請日: | 2018-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN209119134U | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 李偉青;張秋蘭 | 申請(專利權)人: | 廣東晶天新能源電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市順德區大良街道辦*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能板 鋁型材邊框 多晶硅層 固定設置 電池板 太陽能多晶硅片 鋼化玻璃片 下電極層 電極 滑塊 太陽能電池硅片 本實用新型 順丁橡膠層 多晶硅板 多晶硅片 滑動設置 經濟損失 上下兩側 生產廠商 運輸過程 轉換效率 四周壁 橡膠層 滑槽 合格率 | ||
一種太陽能多晶硅片,本實用新型涉及太陽能電池硅片技術領域,一號太陽能板和二號太陽能板的四周壁上均箍設有鋁型材邊框;二號太陽能板上的鋁型材邊框的上下兩側固定設置有滑塊,二號太陽能板通過滑塊滑動設置在一號鋁型材邊框后側開設的滑槽內;所述的一號太陽能板和二號太陽能板均包含鋼化玻璃片、電池板和順丁橡膠層,順丁橡膠層和鋼化玻璃片之間固定設置有電池板;所述的電池板包含上電極、多晶硅層和下電極層,多晶硅層的前側固定嵌設有數個上電極,多晶硅層的后側固定設置有下電極層,能夠增加了多晶硅板的轉換效率,降低多晶硅片在運輸過程中的產生損壞的幾率,減少了生產廠商不必要的經濟損失,減少了產品的不合格率,實用性更強。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池硅片技術領域,具體涉及一種太陽能多晶硅片。
背景技術
太陽能電池片分為晶硅類和非晶硅類,其中晶硅類電池片又可以分為單晶電池片和多晶電池片,多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉換效率和長壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對簡化等優點的新一代電池,其轉換效率一般為12%左右,稍低于單晶硅太陽電池,沒有明顯效率衰退問題,并且有可能在廉價襯底材料上制備,其成本遠低于單晶硅電池,而效率高于非晶硅薄膜電池,再加上現有技術中的多晶硅板在運輸過程中容易損壞,增加了產品的不合格率,造成了不必要的經濟損失,亟待改進。
實用新型內容
本實用新型的目的在于針對現有技術的缺陷和不足,提供一種結構簡單,設計合理、使用方便的太陽能多晶硅片,能夠增加了多晶硅板的轉換效率,降低多晶硅片在運輸過程中的產生損壞的幾率,減少了生產廠商不必要的經濟損失,減少了產品的不合格率,實用性更強。
為實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是:它包含一號太陽能板、二號太陽能板、滑塊、鋁型材邊框、熱熔膠、鋼化玻璃板、電池片、順丁橡膠層;一號太陽能板和二號太陽能板的四周壁上均箍設有鋁型材邊框,且一號太陽能板和二號太陽能板均通過熱熔膠與鋁型材邊框固定連接;二號太陽能板上的鋁型材邊框的上下兩側固定設置有滑塊,二號太陽能板通過滑塊滑動設置在一號鋁型材邊框后側開設的滑槽內;所述的一號太陽能板和二號太陽能板均包含鋼化玻璃片、電池板和順丁橡膠層,順丁橡膠層和鋼化玻璃片之間固定設置有電池板;所述的電池板包含上電極、多晶硅層和下電極層,多晶硅層的前側固定嵌設有數個上電極,多晶硅層的后側固定設置有下電極層,且上電極和下電極層與外部電源存儲裝置連接。
進一步地,所述的電池板與鋼化玻璃片之間固定設置有減反射膜。
進一步地,所述的一號太陽能板四周的鋁型材邊框的四周壁上以及二號太陽能板右側的鋁型材邊框上均固定設置有防護條;所述的防護條由橡膠墊圈內部填設板簧層構成。
進一步地,所述的鋁型材邊框與熱熔膠接觸的部位固定設置有數個卡勾,且卡勾嵌設在熱熔膠的內部。
進一步地,所述的多晶硅層與上電極接觸的面上為不規則凸起結構。
進一步地,所述的順丁橡膠層替換為TPT復合膜,TPT復合膜固定貼設在電池板的后側。
采用上述結構后,本實用新型有益效果為:本實用新型所述的一種太陽能多晶硅片,能夠增加了多晶硅板的轉換效率,降低多晶硅片在運輸過程中的產生損壞的幾率,減少了生產廠商不必要的經濟損失,減少了產品的不合格率,實用性更強,本實用新型具有結構簡單,設置合理,制作成本低等優點。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖2是圖1的右視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





