[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821943791.1
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN209056462U
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙背生
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美

本公開提供了一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：源極(S)、控制柵(CG)、屏蔽柵(SG)和從屏蔽柵(SG)引出半導(dǎo)體器件表面的引出柵(DG)，所述屏蔽柵(SG)與源極(S)和控制柵(CG)分別隔離，所述引出柵(DG)與源極(S)接合，或者與控制柵(CG)接合，以形成高頻半導(dǎo)體器件、或可靠型半導(dǎo)體器件。本公開通過采用屏蔽柵雙結(jié)構(gòu)，使用在高頻應(yīng)用時通過使屏蔽柵和源極相連實現(xiàn)低柵漏電容；使用在低頻應(yīng)用時通過屏蔽柵和控制柵相連實現(xiàn)大漏極電流和高可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

目前MOSFET的屏蔽柵溝槽結(jié)構(gòu)只有一種，即屏蔽柵連接源極結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)的優(yōu)點為柵漏電容小特別適合高頻應(yīng)用。但該結(jié)構(gòu)的最大的缺點為耐大電流沖擊能力弱，柵極的可靠性弱，耐雪崩擊穿能力弱。其不能適應(yīng)低頻應(yīng)用的場合，低頻應(yīng)用的場合需要大漏極電流和高可靠性。現(xiàn)有技術(shù)缺少一種能夠根據(jù)應(yīng)用場合改變結(jié)構(gòu)以適應(yīng)高頻應(yīng)用或高可靠性應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。

實用新型內(nèi)容

本公開旨在提供一種能夠根據(jù)應(yīng)用場合改變結(jié)構(gòu)以適應(yīng)高頻應(yīng)用或高可靠性應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件只能適合高頻應(yīng)用的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本公開的一個實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：源極、控制柵、屏蔽柵和從屏蔽柵引出半導(dǎo)體器件表面的引出柵，所述屏蔽柵與源極和控制柵分別隔離，所述引出柵與源極接合，或者與控制柵接合，以形成高頻半導(dǎo)體器件、或可靠型半導(dǎo)體器件。

本公開的有益效果是：通過采用屏蔽柵雙結(jié)構(gòu)，使用在高頻應(yīng)用時通過使屏蔽柵和源極相連實現(xiàn)低柵漏電容，使用在低頻應(yīng)用時通過屏蔽柵和控制柵相連實現(xiàn)大漏極電流和高可靠性。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并于說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1是本公開的半導(dǎo)體器件一實施方式的示出了屏蔽柵、控制柵的位置關(guān)系的縱向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本公開的半導(dǎo)體器件一實施方式的示出了屏蔽柵、控制柵、源極的位置關(guān)系的縱向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本公開的半導(dǎo)體器件一實施方式的器件橫向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中未進行溝槽刻蝕前的襯底的示意圖；

圖5是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中刻蝕了溝槽的襯底的示意圖；

圖6是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中對溝槽的底部和壁形成第一隔離層后的示意圖；

圖7是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中對在第一隔離層上沉積半導(dǎo)體材料的示意圖；

圖8是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中通過光刻掩模形成屏蔽柵的引出柵的示意圖；

圖9是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中在屏蔽柵之上形成第二隔離層的示意圖；

圖10是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中在第二隔離層之上形成控制柵的示意圖；

圖11是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中在兩個相鄰溝槽之間通過離子注入形成P-N結(jié)的示意圖；

圖12是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中形成源極S的示意圖；

圖13是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中形成的未定型成高頻半導(dǎo)體器件或可靠性半導(dǎo)體器件前的器件的橫向結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖14是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中定型成的高頻半導(dǎo)體器件的橫向示意圖；

圖15是本公開的半導(dǎo)體器件的形成過程中定型成的可靠型半導(dǎo)體器件的橫向結(jié)構(gòu)示意圖；