[實(shí)用新型]一種高電子遷移率晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821942615.6 | 申請日： | 2018-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN209199941U | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳俊鵬;大藤徹;謝明達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 門極 保護(hù)層 掩膜層 高電子遷移率晶體管 主動層 漏極 源極 緩沖層 基板 本實(shí)用新型 寄生電容 依序排列 電容 鄰接 場板 堆棧 與門 覆蓋 | ||
1.一種高電子遷移率晶體管，由下而上依序包括基板、緩沖層、主動層、保護(hù)層、源極、漏極以及門極，所述主動層、所述緩沖層與所述保護(hù)層依序堆棧于所述基板，所述源極、所述漏極以及所述門極依序排列于所述主動層上，所述保護(hù)層覆蓋部分的所述源極、所述漏極與所述門極，其特征在于：所述門極包含相互鄰接的頂部與底部，所述頂部凸出于所述保護(hù)層，且所述門極還包括掩膜層，所述掩膜層位于所述保護(hù)層上且所述頂部覆蓋所述掩膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述掩膜層于所述源極往所述漏極的方向上的長度小于所述頂部于所述源極往所述漏極的方向上的長度。
3.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述底部于所述源極往所述漏極的方向上的長度小于所述頂部于所述源極往所述漏極的方向上的長度。
4.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述保護(hù)層還包括沉積面，所述掩膜層位于所述沉積面上，且所述底部與所述頂部的連接面與所述沉積面為共平面。
5.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述頂部鄰近所述源極的一側(cè)與所述主動層之間形成第一寄生電容，所述頂部鄰近所述漏極的一側(cè)與所述主動層之間形成第二寄生電容，且所述第一寄生電容的電容值高于所述第二寄生電容的電容值。
6.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述底部的兩端分別鄰接所述頂部與所述主動層。
7.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述源極、所述門極與所述漏極排列于所述主動層的同一平面。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
