[實用新型]一種紅光倒裝芯片有效
| 申請號: | 201821940873.0 | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN208986022U | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 華斌;黃慧詩 | 申請(專利權)人: | 江蘇新廣聯科技股份有限公司;江蘇新廣聯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/46 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;陳麗麗 |
| 地址: | 214192 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝芯片 藍寶石 襯底 紅光 發光外延層 反射層 下表面 本實用新型 芯片制作技術 紅色熒光粉 熒光粉膠體 側面 側面設置 光線顏色 全彩顯示 涂覆紅色 上表面 電極 良率 轉化 | ||
1.一種紅光倒裝芯片,其特征在于,所述紅光倒裝芯片包括:藍寶石襯底,所述藍寶石襯底的下表面設置發光外延層,所述發光外延層的下表面和側面設置反射層,所述反射層的下表面設置電極,所述藍寶石襯底的上表面、藍寶石襯底的側面和所述反射層的側面均涂覆紅色熒光粉膠體,所述紅色熒光粉膠體能夠將所述發光外延層發出的光線顏色轉化成紅色發出。
2.根據權利要求1所述的紅光倒裝芯片,其特征在于,所述發光外延層包括從上到下依次設置的U-GaN、N-GaN、量子阱發光層和P-GaN。
3.根據權利要求1或2所述的紅光倒裝芯片,其特征在于,所述發光外延層包括藍色發光外延層。
4.根據權利要求1所述的紅光倒裝芯片,其特征在于,所述藍寶石襯底包括平片藍寶石襯底或者圖形化藍寶石襯底。
5.根據權利要求1所述的紅光倒裝芯片,其特征在于,所述反射層包括DBR反射層,所述DBR反射層包括SiO2和TiO2。
6.根據權利要求1所述的紅光倒裝芯片,其特征在于,所述紅色熒光粉膠體包括透明膠體和設置在所述透明膠體內的紅色熒光粉或者紅色量子點材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇新廣聯科技股份有限公司;江蘇新廣聯半導體有限公司,未經江蘇新廣聯科技股份有限公司;江蘇新廣聯半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821940873.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種便于散熱的LED單晶用貼片支架
- 下一篇:一種LED新型支架





