[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201821935220.3
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN209045570U
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有至少一個鰭片，所述鰭片具有沿第二方向延伸的水平鰭片部以及豎直設置在所述水平鰭片部的兩個相對的端上的豎直鰭片部，兩個所述豎直鰭片部之間界定出沿第一方向延伸的第一溝槽，每個所述豎直鰭片部的頂端部中形成有一第一源漏摻雜區，所述水平鰭片部中設有一第二源漏摻雜區，所述第二源漏摻雜區沿所述第二方向從所述水平鰭片部被一個所述豎直鰭片部覆蓋的部分中延伸至被另一個所述豎直鰭片部覆蓋的部分中；以及，

柵極，環繞在所述豎直鰭片部的側壁上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底還具有用于定義出所述鰭片所在區域的第二溝槽和隔離溝槽，所述第二溝槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述鰭片沿所述第二方向延伸的側壁，所述隔離溝槽沿所述第一方向延伸并暴露出所述鰭片沿所述第一方向延伸的外側壁；所述第一溝槽和所述隔離溝槽沿著所述第一方向的端部均延伸至所述第二溝槽，以和所述第二溝槽在所述第二溝槽的側壁上連通，并且所述第一溝槽的底表面高于所述第二溝槽的底表面，所述隔離溝槽的底表面與所述第二溝槽的底表面齊平，以使包含所述第二源漏摻雜區在內的所述水平鰭片部的側壁暴露于所述第二溝槽中，所述第二溝槽中埋設有沿著所述第二方向延伸的埋入式導線，所述埋入式導線和所述第二源漏摻雜區電連接。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述的半導體器件還包括導電接觸結構，所述導電接觸結構形成在所述第二溝槽中，并設置在所述埋入式導線和所述第二源漏摻雜區之間，所述導電接觸結構的一側壁與所述第二源漏摻雜區的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的另一側壁與所述埋入式導線的側壁表面接觸，所述導電接觸結構的底表面與所述第二溝槽底部的半導體襯底表面絕緣隔離，且所述導電接觸結構沿所述第二方向延伸的長度小于或等于所述第二源漏摻雜區沿第二方向延伸的長度。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還包括第一介質層，所述第一介質層填充在所述第二溝槽的底部和所述隔離溝槽的底部上，所述埋入式導線形成于所述第一介質層上。

5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還包括柵介質層和柵極隔離層，所述柵介質層位于所述柵極和所述鰭片之間，所述柵極隔離層填充在所述第一溝槽、第二溝槽和隔離溝槽中，以將所述柵極掩埋在內。

6.如權利要求2至5中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底具有分布于所述第二溝槽兩側的鰭片，且所述第二溝槽兩側的鰭片對齊或者交錯排布。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為存儲器，包括沿所述第一方向和所述第二方向排列呈陣列的多個所述鰭片，在所有的所述鰭片中，沿所述第一方向對齊排布在同一直線上的多個所述豎直鰭片部的側壁上環繞的所述柵極相互電性連接，構成所述存儲器的字線；以及，沿所述第二方向對齊排布在同一直線上的多個所述第二源漏摻雜區連接至同一所述埋入式導線，所述埋入式導線構成所述存儲器的位線。