[實用新型]氮化鎵半導體器件有效
| 申請號： | 201821933530.1 | 申請日： | 2018-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN209199940U | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 陳彥良;大藤徹;謝明達 | 申請（專利權）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/15 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中國臺灣苗粟*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超晶格緩沖層 緩沖層 氮化鎵半導體器件 氮化鎵層 多層 緩變 匹配 交錯 氮化鎵外延層 熱膨脹系數 晶格常數 晶圓翹曲 多階段 覆蓋層 硅基板 阻障層 晶格 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鎵半導體器件，由下而上依序包含硅基板、第一緩沖層、第二緩沖層、第一氮化鎵層、第二氮化鎵層、阻障層及覆蓋層，其特征在于，所述第二緩沖層為多層超晶格緩沖層。
2.如權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述多層超晶格緩沖層為Alx2Ga1-x2N/Alx1Ga1-x1N交錯組成。
3.如權利要求2所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述Alx2Ga1-x2N的厚度為5nm-30nm及所述Alx1Ga1-x1N的厚度為1nm-10nm。
4.如權利要求2或3所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述x1由1緩變至0.2；x2由0.8緩變至0。
5.如權利要求1或2所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述多層超晶格緩沖層為20層-150層。
6.如權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述第一緩沖層為氮化鋁層。
7.如權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述第一氮化鎵層為碳摻雜氮化鎵。
8.如權利要求1所述的氮化鎵半導體器件，其特征在于，所述第二氮化鎵為本質氮化鎵。
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