[實用新型]一種阻型存儲器結構有效
| 申請號： | 201821912223.5 | 申請日： | 2018-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN209298118U | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 張一平;王子歐;張立軍;朱燦焰 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L27/24 | 分類號： | H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 215000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲單元 本實用新型 存儲器結構 存儲器 復數 位線 一端連接 源極連接 柵極連接 源極線 減小 漏極 字線 存儲 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻型存儲器結構，其特征在于：包括MOSFET管、復數個阻型存儲單元和復數條對應阻型存儲單元的位線；
所述MOSFET管的源極連接到源極線，柵極連接到字線，漏極分別連接到各阻型存儲單元的一端，各所述阻型存儲單元的另一端連接到其對應的位線，各所述位線中有且僅有一條被置讀寫電壓；
所述MOSFET管的面積占阻型存儲器面積的30%~50%。
2.根據權利要求1所述的阻型存儲器結構，其特征在于：所述MOSFET管為N型MOSFET管。
3.根據權利要求1所述的阻型存儲器結構，其特征在于：所述阻型存儲單元的數量為5萬~500萬個。
4.根據權利要求1所述的阻型存儲器結構，其特征在于：所述MOSFET管的面積占阻型存儲器面積的40%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
