[實用新型]一種硅基體直立式鍍膜的配套裝置有效
| 申請號: | 201821893094.X | 申請日: | 2018-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN209555363U | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發明(設計)人: | 范繼良 | 申請(專利權)人: | 黃劍鳴 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50;C23C14/04;C23C16/458;C23C16/04 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 林麗明 |
| 地址: | 中國香港新*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅基體 相框架 固定件 鍍膜 框體 凸點 本實用新型 配合連接 配套裝置 直立式 凹口 承載 四邊 槽體底邊 氣相沉積 豎直固定 真空鍍膜 等離子 側邊框 上邊框 下邊框 有效地 槽體 插槽 插縫 豎直 制程 轟擊 擱置 配合 貫穿 支撐 | ||
本實用新型公開一種硅基體直立式鍍膜的配套裝置,包括將硅基體豎直固定的框體和承載數個框體的無底槽體,所述框體包括四邊支撐的相框架和固定件,相框架擱置于無底槽體底邊上,相框架上邊框設有配合硅基體貫穿的插縫,相框架下邊框設有配合硅基體單側插入的插槽,相框架的側邊框上設有凸點,固定件與凸點配合連接的相應位置設有凹口,固定件通過凹口與凸點的配合連接,將其固定于相框架。本實用新型用于豎直承載數個硅基體進行氣相沉積以完成真空鍍膜的制程,有效地防止了等離子分子對硅基體的轟擊,提高硅基體鍍膜質量。
技術領域
本實用新型涉及硅太陽能電池的制具領域,特別涉及一種硅基體直立式鍍膜的配套裝置。
背景技術
硅太陽能電池的HIT結構是在晶體硅片上沉積一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜和一層與晶體硅摻雜種類相反的摻雜氫化非晶硅薄膜。但是現有的工藝太復雜,硅基體的鍍膜質量不佳,真空鍍膜裝置及其配套設施價格昂貴,大大限制了它的大規模生產。
實用新型內容
本實用新型的主要目的是提出一種硅基體直立式鍍膜的配套裝置,旨在克服以上問題。
為實現上述目的,本實用新型提出的一種硅基體直立式鍍膜的配套裝置,包括將硅基體豎直固定的框體和承載數個框體的無底槽體,所述框體包括四邊支撐的相框架和固定件,相框架擱置于無底槽體底邊上,相框架上邊框設有配合硅基體貫穿的插縫,相框架下邊框設有配合硅基體單側插入的插槽,相框架的側邊框上設有凸點,固定件與凸點配合連接的相應位置設有凹口,固定件通過凹口與凸點的配合連接,將其固定于相框架。
優選地,所述凸點的數目至少為二,所述凹口的數目至少為二,所述相框架的兩側邊框分別設有凸點,固定件的兩側邊分別設有與凸點配合連接的凹口,固定件通過凹口與凸點的配合連接固定于相框架上邊框。
優選地,所述相框架還包括前掩框和后背框,所述前掩框固定嵌入相框架鏤空部的其中一側面,所述后背框固定嵌入相框架鏤空部的的另一側面。
優選地,所述前掩框的鏤空外形與硅基體的待鍍膜外形相匹配。
優選地,所述前掩框的鏤空外形的內角為倒角設置。
優選地,還包括具有與硅基體非鍍面外形相匹配的屏閉片,所述屏閉片可拆卸地鑲嵌于后背框的鏤空部。
優選地,所述框體還包括擱置條,所述擱置條設于相框架的底邊框的底部。
優選地,所述無底槽體的底邊設有數個間距均勻的突起,所述框體間隙配合限位于相鄰突起之間。
優選地,所述無底槽體底邊的下方設有防滑膠墊。
優選地,所述無底槽體還包括圍著無底槽體底邊豎立的槽邊。
本實用新型用于豎直承載數個硅基體同時進行氣相沉積以完成真空鍍膜的制程,通過硅基體的豎直固定,以隔離等離子氣體的電離分離區與硅基體鍍膜區,通過硅基體的豎直固定,將等離子氣體的電離分離區與硅基體鍍膜區隔離,以防止等離子分子對硅基體的轟擊,提高硅基體的鍍膜質量。同時,本實用新型通過屏閉片插入式連接框體,讓每個硅基體可以靈活地應對雙面鍍膜或單面鍍膜的工藝要求。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。
圖1為所述配套裝置一實施例的剖面示意圖;
圖2為所述框體的曝炸圖;
本實用新型目的的實現、功能特點及優點將結合實施例,參照附圖做進一步說明。
具體實施方式
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