[實用新型]一種多晶串高壓LED芯片

有效

• 申請號: 201821879640.4
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN209133505U
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 仇美懿;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種多晶串高壓LED芯片，包括M個倒裝LED芯片和M+1個正裝LED芯片，M≧1，第一個正裝LED芯片的P電極為封裝正極打線區域，第M+1個正裝LED芯片的N電極為封裝負極打線區域，其中，倒裝LED芯片的P電極連接在正裝LED芯片的N電極上，倒裝LED芯片的N電極連接在正裝LED芯片的P電極上，M個倒裝LED芯片將M+1個正裝LED芯片形成串聯連接。本實用新型將倒裝LED芯片連接在正裝LED芯片的上方，并通過倒裝LED芯片來將正裝LED芯片形成串聯連接，代替了傳統的橋接方式，減少了打線，從而節省了打線所需的面積，減小了高壓LED芯片的體積。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種多晶串高壓LED芯片。

背景技術

隨著LED(發光二極管)發光效率的不斷提高，LED已成為近年來最受重視的光源之一。隨著LED工藝的發展，直接采用高壓驅動的LED已經實現。高壓LED的效率優于一般傳統低壓LED，主要歸因于小電流、多單元的設計能均勻的將電流擴散開，而且高壓LED可以實現直接高壓驅動，從而節省LED驅動的成本。

現有高壓LED芯片一般采用橋接方式將多個獨立的LED芯片的正負極形成連接，從而形成串連連接。橋接位置處占用了芯片的大量發光面積，增加了高壓LED芯片的整體體積和封裝體積，降低了芯片的發光效率和光型。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種多晶串高壓LED芯片，不需要打線，芯片體積小。

本實用新型還要解決的技術問題在于，提供一種多晶串高壓LED芯片，在光形分布上，可以達到雙面發光。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種多晶串高壓LED芯片，包括M個倒裝LED芯片和M+1個正裝LED芯片，M≧1，第一個正裝LED芯片的P電極為封裝正極打線區域，第M+1個正裝LED芯片的N電極為封裝負極打線區域，其中，倒裝LED芯片的P電極連接在正裝LED芯片的N電極上，倒裝LED芯片的N電極連接在正裝LED芯片的P電極上，M個倒裝LED芯片將M+1個正裝LED芯片形成串聯連接。

作為上述方案的改進，第一個倒裝LED芯片的P電極連接在第一個正裝LED芯片的N電極上，第一個倒裝LED芯片的N電極連接在第二個正裝LED芯片的P電極上，其中，第M個倒裝LED芯片的P電極連接在第M個正裝LED芯片的N電極上，第M個倒裝LED芯片的N電極連接在第M+1個正裝LED芯片的P電極上。

作為上述方案的改進，所述倒裝LED芯片和正裝LED芯片均包括襯底，依次生長在襯底表面上的第一半導體層、有源層、第二半導體層、透明導電層和P電極，與第一半導體連接的N電極。

作為上述方案的改進，還包括絕緣層，所述絕緣層覆蓋在正裝LED芯片和倒裝LED芯片的表面和側壁。

作為上述方案的改進，還包括電極粘附層，所述電極粘附層設置在P電極和N電極之間，以將倒裝LED芯片的P、N電極與正裝LED芯片的N、P電極形成連接。

作為上述方案的改進，所述電極粘附層由Au、AuSn、NiSn、Sn和石墨稀中的一種制成。

實施本實用新型，具有如下有益效果：

本實用新型將倒裝LED芯片連接在正裝LED芯片的上方，并通過倒裝LED芯片來將正裝LED芯片形成串聯連接，代替了傳統的橋接方式，減少了打線，從而節省了打線所需的面積，減小了高壓LED芯片的體積。其中，傳統高壓正裝LED芯片間的間距為25-30μm，用于預留打線的空間，本實用新型的高壓LED芯片不需要打線，相鄰芯片的間距可以縮小到5μm。

進一步地，本實用新型的高壓LED芯片將倒裝LED芯片設置在正裝LED芯片的上方，在光形分布上，可以達到雙面發光。本實用新型在減小高壓LED芯片的整體面積下，提高了高壓LED芯片的亮度。