[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201821873287.9 | 申請日: | 2018-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN209150056U | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 高橋哲平 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 基板處理裝置 旋轉保持部 棉狀塊 處理液供給部 處理液噴嘴 方向延伸 溶劑供給 有機溶劑 噴嘴 處理液 外周緣 旋轉軸 正交的 噴出 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
旋轉保持部,其保持基板,并且使所述基板繞沿與所述基板的表面正交的方向延伸的旋轉軸以規定的轉速旋轉;
處理液供給部,其構成為從位于所述表面側的處理液噴嘴,向通過所述旋轉保持部而旋轉的所述基板的所述表面供給處理液;以及
溶劑供給部,其構成為在比所述基板的外周緣靠外側的位置,從位于所述表面側的至少一個噴出噴嘴向下方供給有機溶劑。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置還具備清洗液供給部,所述清洗液供給部構成為從位于所述基板的背面側的清洗液噴嘴,以朝向所述外周緣側的方式向所述背面供給清洗液。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述基板處理裝置還具備:
加熱部,其構成為對整個所述表面被供給所述處理液而在所述表面形成有處理膜的所述基板進行加熱,以形成所述處理膜固化而成的固化膜;以及
噴出噴嘴移動部,其構成為使至少一個所述噴出噴嘴至少在比所述外周緣靠外側的位置與所述固化膜的周緣部的上方之間移動,
所述溶劑供給部還構成為在所述固化膜的周緣部的上方,從位于所述表面側的至少一個所述噴出噴嘴,向所述固化膜的周緣部供給所述有機溶劑。
4.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,所述基板處理裝置還具備:
加熱部,其構成為對整個所述表面被供給所述處理液而在所述表面形成有處理膜的所述基板進行加熱,以形成所述處理膜固化而成的固化膜;以及
噴出噴嘴移動部,其構成為使至少一個所述噴出噴嘴至少在比所述外周緣靠外側的位置與所述固化膜的周緣部的上方之間移動,
所述溶劑供給部還構成為在所述固化膜的周緣部的上方,從位于所述表面側的至少一個所述噴出噴嘴,向所述固化膜的周緣部供給所述有機溶劑。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
比所述外周緣靠外側的位置被設定成,與所述外周緣之間的間隔距離在從所述旋轉軸的延伸方向觀察時為0.5mm以上。
6.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述溶劑供給部還構成為對于被供給了所述處理液且所述處理液由于伴隨所述基板的旋轉產生的離心力而到達外周緣之前的所述基板,在比所述基板的外周緣靠外側的位置,從位于所述表面側的至少一個噴出噴嘴向下方供給有機溶劑。
7.根據權利要求2或4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述清洗液供給部還構成為從位于所述基板的背面側的清洗液噴嘴,向整個所述表面被供給所述處理液而在所述表面形成有處理膜且所述處理膜通過所述基板旋轉而干燥的所述基板的所述背面,以朝向所述外周緣側的方式向所述背面供給清洗液。
8.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述旋轉保持部還構成為能夠使所述基板按所述規定的轉速、第一轉速、第二轉速以及第三轉速的順序旋轉,其中,所述第一轉速為使所述處理液朝向所述外周緣擴展的轉速,所述第二轉速為比所述第一轉速低且使所述處理液偏向所述基板的中央側的轉速,所述第三轉速為比所述第二轉速高且使所述處理液再次朝向所述外周緣側擴展的轉速,
所述溶劑供給部還構成為,與所述旋轉保持部使所述基板以所述第一轉速和所述第三轉速旋轉的動作連動地,從位于所述表面側的至少一個噴出噴嘴向下方供給有機溶劑。
9.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液的粘度為2000cP以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





