[實(shí)用新型]發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821866101.7 | 申請日: | 2018-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209071375U | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊力勛;蔡琳榕;曾信義;朱立欽;林大銓;廖生地;廖俊杰;張晶晶 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/46 | 分類號(hào): | H01L33/46 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361009 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 絕緣層 半導(dǎo)體層 從上至下 邊緣部 粘合層 基板 半導(dǎo)體疊層 本實(shí)用新型 金屬材料層 絕緣材料層 上部邊緣 源層 | ||
本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管。在一些實(shí)施例中,發(fā)光二極管包括上部和下部,其中所述上部為半導(dǎo)體疊層,從上至下依次包含第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層,所述下部依次包含絕緣材料層、粘合層和基板,其特征在于:所述下部具有一超出所述上部邊緣的邊緣部,所述邊緣部從上至下至少包含第一絕緣層、金屬材料層和第二絕緣層、粘合層和基板。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體光電領(lǐng)域,具體涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管被廣泛地用于固態(tài)照明光源。相較于傳統(tǒng)的白熾燈泡和熒光燈,發(fā)光二極管具有耗電量低以及壽命長等優(yōu)點(diǎn),因此發(fā)光二極管已逐漸取代傳統(tǒng)光源,并且應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如交通號(hào)志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設(shè)備等。為提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率,常在外延疊層的下方設(shè)置反射層,此時(shí)有源層向下發(fā)出的光經(jīng)由反射層反射回去,增加出光效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管,其有效提高了發(fā)光二極管的外部取光效率。
本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管,包括上部和下部,其中所述上部為半導(dǎo)體疊層,從上至下依次包含第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層,所述下部依次包含絕緣材料層、粘合層和基板,所述下部具有一超出所述上部邊緣的邊緣部,所述邊緣部從上至下至少包含第一絕緣層、金屬材料層和第二絕緣層、粘合層和基板。
在一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體疊層的下表面方依次設(shè)有該第一絕緣層、金屬反射層、金屬保護(hù)層和第二絕緣層。
優(yōu)選地,所述金屬保護(hù)層與所述邊緣部的金屬材料層的材料相同。在另一些實(shí)施例中,所述金屬保護(hù)層與所述邊緣部的金屬材料層的材料也可以不相同
在一些實(shí)施例中,所述金屬保護(hù)層與所述邊緣部的金屬材料層之間電性隔離。
優(yōu)選地,所述邊緣部的金屬材料層位于所述外邊緣部的最外側(cè)。
在一些實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體疊層具有至少一個(gè)凹部,該凹部從該半導(dǎo)體疊層的下表面開始,穿過第二半導(dǎo)體層、有源層延伸到第一類型半導(dǎo)體層,所述第一絕緣層覆蓋所述凹部的側(cè)壁。
進(jìn)一步的,所述發(fā)光二極管還包含第一導(dǎo)電連接層,其形成在所述第一絕緣層的表面上并填充所述凹部,與第一半導(dǎo)體層形成電性連接;第二導(dǎo)電連接層,其形成于該第一絕緣層和第二絕緣層之間,并與第二半導(dǎo)體層形成電性連接;所述第二導(dǎo)電連接層包含金屬反射層和金屬保護(hù)層。優(yōu)選地,所述金屬保護(hù)層與所述邊緣部的金屬材料層的材料相同。
在一些實(shí)施例,所述第二導(dǎo)電連接層還包含導(dǎo)電粘附層,其位于所述金屬反射層與所述第一絕緣層之間。
本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
附圖說明
附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。此外,附圖數(shù)據(jù)是描述概要,不是按比例繪制。
圖1為本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例之發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2顯示了不同材料對于不同波長的光線的反射率曲線圖。
圖3為本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例之發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為一個(gè)示意圖,說明了第二個(gè)較佳實(shí)施例所述發(fā)光二極管的金屬反射層的邊沿超出了外延疊層的邊沿。
圖5為本實(shí)用新型第三個(gè)實(shí)施例之發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本實(shí)用新型第四個(gè)實(shí)施例,顯示了一種發(fā)光二極管芯片的制作流程。
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