[實用新型]一種應用在射頻前端接收機的模組電路

有效

• 申請號: 201821865035.1
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN208836126U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 李鵬
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H04B1/16
• 分類號: H04B1/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李慧引;王寶筠

本實用新型提供一種應用在射頻前端接收機的模組電路，包括濾波器電路和低噪聲放大器電路。濾波器電路包括：第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感。其中，第一電容與第一電感連接組成串聯支路，串聯支路與第二電容組成第一并聯支路，第一并聯支路的輸入端作為濾波器電路的輸入端，輸出端通過第二電感接地。第三電容與第三電感組成第二并聯支路，第二并聯支路的輸入端連接第一并聯支路的輸入端，輸出端作為濾波器電路的輸出端。濾波器電路的輸出端與低噪聲放大器電路的輸入端連接，輸入端作為模組電路的輸入端。低噪聲放大器電路的輸出端作為模組電路的輸出端。

技術領域

本實用新型涉及通訊技術領域，更具體地說，涉及一種應用在射頻前端接收機的模組電路。

背景技術

射頻前端是在通訊系統中介于天線與基帶電路之間的信號處理段，以高頻交流電的形式進行傳輸信號。射頻前端包括發射通路和接收通路。設置接收通路的目的在于確保有用的射頻信號能夠完整不失真地從天線拾取出來并輸送給后級的處理裝置。所述后級處理裝置稱為射頻前端接收機。然而，模組是一種安裝在射頻前端接收機前端的信號處理裝置。其中，模組包括低噪聲放大器、濾波器、切換開關、以及控制器等器件。濾波器在射頻前端中發揮消除干擾雜訊的作用。隨著模組技術的日益發展，濾波器技術也在不斷發展。模組的抗干擾性能在很大程度上取決于濾波器的除雜濾波性能。

現有模組中的濾波器難以抑制多個頻點的干擾，即便實現抑制多個頻點的干擾，但是要求濾波器具備更多的元器件，從而帶來較高的生產成本，而且加大模組電路的封裝尺寸。

因此，在保證生產成本和封裝尺寸的情況下，如何實現提升應用在射頻前端接收機的模組的抗干擾性能，成為本領域技術人員需要解決的問題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種應用在射頻前端接收機的模組電路，以實現提升模組電路的抗干擾性。

為實現上述目的，本實用新型實施例提供如下技術方案：

一種應用在射頻前端接收機的模組電路，包括濾波器電路和低噪聲放大器電路。所述濾波器電路包括：第一電容、第二電容、第三電容、第一電感、第二電感和第三電感。其中，

所述第一電容與所述第一電感連接組成串聯支路，所述串聯支路與所述第二電容組成第一并聯支路，所述第一并聯支路的輸入端作為所述濾波器電路的輸入端，輸出端通過所述第二電感接地。所述第三電容與所述第三電感組成第二并聯支路，所述第二并聯支路的輸入端連接所述第一并聯支路的輸入端，輸出端作為所述濾波器電路的輸出端。

所述濾波器電路的輸出端與所述低噪聲放大器電路的輸入端連接，輸入端作為所述模組電路的輸入端。所述低噪聲放大器電路的輸出端作為所述模組電路的輸出端。

可選地，所述濾波器電路的制造工藝與互補金屬氧化物半導體工藝(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)兼容。

可選地，所述濾波器電路的制造工藝包括低溫共燒陶瓷工藝(Low TemperatureCo-fired Ceramic，LTCC)。

可選地，所述濾波器電路的制造工藝包括集成無源器件工藝(IntegratedPassive Device，IPD)。

可選地，所述濾波器電路的制造工藝包括層壓基板制造的工藝。

可選地，所述濾波器電路和所述低噪聲放大器電路集成設置。

可選地，所述濾波器電路采用IPD，所述低噪聲放大器電路采用CMOS，所述濾波器電路和所述低噪聲放大器電路采用雙側無引腳扁平封裝(Dual Flat Non-leadedpackage，DFN)進行集成設置。