[實用新型]一種側面凹槽陶瓷電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821859636.1
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN208834907U
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 李國正;闕華昌;褚平順
• 申請（專利權）人: 昆山萬豐電子有限公司
• 主分類號: H01G4/002
• 分類號: H01G4/002;H01G4/005;H01G4/224;H01G4/12;H01G4/236
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一種側面凹槽陶瓷電容器，包括電容本體、引線和包封層。所述電容本體由陶瓷基體、電極、側面凹槽組成，兩個電極附著于基體上，電極上焊接引線，包封料包裹電容本體及部分引線。所述的側面凹槽為陶瓷電容器側面開出的環(huán)形空缺，經(jīng)包封料包封后，側面凹槽被絕緣的包封料填充，使陶瓷電容器通電后沿著陶瓷基體外表面的電場線被包封料截斷，減小了表面跨弧放電風險，此外側面凹槽可增大兩電極間沿陶瓷表面的距離，進一步減小了表面爬電風險，可顯著減小陶瓷電容器制程過程中因質量波動導致陶瓷電容器表面跨弧的風險，提升了陶瓷電容器安全性與可靠性。

技術領域

本實用新型涉及一種能夠在電路中起濾波、振蕩、耦合作用的陶瓷電容器，尤其指一種陶瓷基體側面存在凹槽的陶瓷電容器。

背景技術

陶瓷電容器是以陶瓷作為介質材料的電容器，其在電路中可起到隔直、旁路、耦合、濾波、溫度補償、瞬態(tài)電壓抑制、調(diào)諧、儲能、抑制電磁干擾等種種作用，是幾乎所有電子設備必須的基礎元器件。擊穿電壓是衡量陶瓷電容器性能的重要指標，陶瓷電容器一旦發(fā)生電擊穿，一般會伴隨電路失效，嚴重時會導致觸電、火災等危險，為保證陶瓷電容器的可靠工作，既要保證瞬時電壓下不發(fā)生擊穿，又要保證長期工作電壓下不發(fā)生擊穿，因此提升產(chǎn)品的耐擊穿電壓，一直是業(yè)內(nèi)持續(xù)改善的目標。陶瓷電容器的瞬時電壓擊穿一般分為兩種，一種是電容器實際承受電壓超出陶瓷基體耐電壓限度，強電場導致陶瓷基體內(nèi)自由電子撞擊中性分子，使之電離后形成雪崩式電子流，導致?lián)舸祟悡舸┮话阌商沾晌⒂^結構，介質厚度，電極面積等因素決定，此類擊穿發(fā)生在陶瓷介質內(nèi)部，屬正常失效擊穿模式。另一種擊穿模式為跨弧擊穿，在陶瓷介質燒結時，其外表面位于陶瓷與空氣的界面，其表面張力及自由能等均與陶瓷內(nèi)部的燒結環(huán)境有所差異，導致燒結后外表面缺陷態(tài)較多，陶瓷表面的絕緣強度小于陶瓷內(nèi)部，加之陶瓷電容器在電極邊緣因電場畸變，場強方向可分為垂直向下和水平向外的兩個分量，易于出現(xiàn)沿陶瓷表面爬電擊穿的現(xiàn)象，也稱飛弧擊穿，其擊穿路徑一般由電極邊緣起始，擊穿路徑水平沿陶瓷表面延伸至陶瓷基體側面或自電極邊緣經(jīng)瓷體內(nèi)部斜向外到達陶瓷基體側面，此后在陶瓷基體側面爬電后，以近乎對稱的路徑到達另一電極邊緣。跨弧擊穿一般屬于制程中的不良形態(tài)，燒結、焊接掛錫、陶瓷基體表面破損、包封料間隙等各制程過程出現(xiàn)異常，均易導致跨弧擊穿發(fā)生，業(yè)內(nèi)需要一種可減少因制程異常而出現(xiàn)跨弧擊穿風險的陶瓷電容器。

實用新型內(nèi)容

本實用新型需解決的技術問題是提供一種耐電壓水平符合國家標準的陶瓷電容器，它可以有效減少跨弧放電風險，提升陶瓷電容器的安全性。

本實用新型解決現(xiàn)有技術問題所采用的技術方案是：一種陶瓷電容器，其包括有電容本體、第一引線、第二引線、包封層，所述電容本體由陶瓷介電材料構成的圓柱體陶瓷基體、陶瓷基體側面的凹槽及附著于陶瓷基體上的第一電極、第二電極組成，第一引線焊接在第一電極上，第二引線焊接在第二電極上，包封層包裹電容本體及部分引線，陶瓷基體側面的凹槽是沿著陶瓷基體側面向陶瓷基體內(nèi)部開出的環(huán)形空缺，陶瓷基體側面為平滑的環(huán)形面、帶有波紋狀起伏的環(huán)形面的一種。

進一步的，所述的陶瓷基體側面凹槽的截面為長方形、半圓形、半橢圓形的一種。

進一步的，所述陶瓷基體側面凹槽的數(shù)量為1-200條。

進一步的，所述陶瓷基體側面凹槽的截面中，位于陶瓷基體內(nèi)部最內(nèi)側的點與位于陶瓷基體側面最外側的點在水平方向上的距離為0.01-5毫米。