[實用新型]一種元胞結(jié)構(gòu)、功率半導體器件及電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821859361.1
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN208848895U
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 曾丹;史波;肖婷;何昌
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/00;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/48;H01L21/331
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基材，設置在所述基材上的多個單排排列的溝槽，其中，

至少部分所述溝槽內(nèi)設置有橫向加強側(cè)壁；且所述溝槽的側(cè)壁上設置有用于將被所述橫向加強側(cè)壁封堵的溝槽與其他溝槽導電連通的缺口。

2.如權(quán)利要求1所述的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述設置有橫向加強側(cè)壁的溝槽內(nèi)設置有多個橫向加強側(cè)壁，且任意兩個橫向加強側(cè)壁之間的溝槽的槽壁中至少一個側(cè)壁上設置有所述缺口。

3.如權(quán)利要求2所述的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述設置有橫向加強側(cè)壁的溝槽中，任意相鄰的兩個溝槽中，至少有一個橫向加強側(cè)壁與所述兩個溝槽的公用側(cè)壁形成十字形結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求2所述的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述橫向加強側(cè)壁排列成多行；且每行包括多個間隔設置的橫向加強側(cè)壁；其中，

所述多行橫向加強側(cè)壁沿豎直方向上依次想錯。

5.如權(quán)利要求3所述的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向加強側(cè)壁與所述溝槽的側(cè)壁為一體結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求2所述的元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向加強側(cè)壁的高度與所述溝槽的側(cè)壁的高度相同。

7.一種功率半導體器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～6任一項所述的元胞結(jié)構(gòu)。

8.一種電子設備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～6任一項所述的元胞結(jié)構(gòu)。