[實用新型]應用于單晶爐的底部法蘭

有效

• 申請號: 201821858235.4
• 申請日: 2018-11-13
• 公開（公告）號: CN209456613U
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 涂瑾;傅林堅;韋韜;曹建偉;胡建榮;倪軍夫;陳杭;甘超
• 申請（專利權）人: 浙江晶鴻精密機械制造有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

本實用新型是關于單晶爐的輔助設備領域，特別涉及一種應用于單晶爐的底部法蘭。包括下圓盤、水平調整組件、氬氣管路；下圓盤是圓柱體結構的圓盤，且圓盤的上端面上設有兩個環形凹槽；凹槽上均設有圓形封板；水嘴接口有兩個，均焊接在第一凹槽上的封板上，并與第一凹槽的腔體連通；水平調整副室是空心圓柱結構，底部焊設于下圓盤上端面，在側部開有單邊通孔，用于焊接KF10×40法蘭；頂板焊接于水平調整副室上端面上；氬氣管路為通過焊接三通連接的3/8EP管與KF10×20法蘭組成的管路。本實用新型提高了底部法蘭的密封性能；保證了冷卻效果，同時提高單晶爐的硅棒單次生產重量，降低輔助材料的替換頻率，提高生產效率，降低生產成本。

技術領域

本實用新型是關于單晶爐的輔助設備領域，特別涉及一種應用于單晶爐的底部法蘭。

背景技術

單晶硅是用于太陽能光伏發電的重要材料。單晶硅生產中需要進行拉晶，拉晶效率及質量直接影響單晶硅的生產。目前，為提升效率，拉晶所得晶體體積越來越大，這也對拉晶過程提出了更高的要求。拉晶的過程中，需要保證引晶體的垂直及晶體保護，因此作為調節組件的重要組成部分——底部法蘭對提高整個生產鏈效率及產品質量有很大的影響。

現在國家極度重視新能源的開發及應用，并投入大量資金對光伏行業進行扶持，國內單晶硅的需求不斷增加，該產業的特點為技術、資本雙密集型。從技術上來說，技術先進程度直接決定了生產成本的高低，而生產成本對于單晶硅企業的盈利性非常敏感；從資本角度看，單晶硅生產需要投入大量設備，擴產周期長，且對人員生產控制要求很高。因此單晶硅行業進入壁壘較高，行業龍頭的先發優勢非常明顯，短期內行業競爭格局較難打破。提高單晶硅產能，降低能耗，也成了單晶硅生產企業是否能成為行業龍頭的關鍵因素之一。

作為水平調整機構的重要組件，底部法蘭焊接工藝的研制顯得尤為重要，既能提高產能、降低生產成本，又能保證質量穩定性，確保在拉晶過程中的晶體能夠得到充足的氬氣保護同時保證引晶體的垂直，使得拉晶獲得產品滿足要求。

然而在現有技術中，底部法蘭在工作過程中因焊接不良出現生產安裝困難、現場漏水和密封不牢等問題，導致返工、報廢，成本增加，單晶拉晶過程中輔助材料和能源消耗大。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于克服現有技術中的不足，提供一種應用于單晶爐的底部法蘭。為解決上述技術問題，本實用新型的解決方案是：

提供一種應用于單晶爐的底部法蘭，包括下圓盤組件、水平調整組件與氬氣管路；下圓盤組件包括下圓盤、封板、水嘴接口和隔板；

下圓盤是圓柱體結構的圓盤，且圓盤的上端面上設有兩個環形凹槽，分別為第一凹槽與第二凹槽；其中第一凹槽與上端面為同心圓，且靠近上端面外緣，第二凹槽設于靠近圓盤中心處；凹槽上均設有圓形封板，且封板直徑與凹槽的外徑相同；圓盤側面打有2個深孔，用于連通兩個環形凹槽；上端面靠近中心處開有2個貫穿孔；水嘴接口有兩個，均焊接在第一凹槽上的封板上，并與第一凹槽的腔體連通；隔板有兩塊，分設于第一凹槽與第二凹槽內，垂直于槽壁并位于2個深孔中間處，用于實現將圓盤腔體分隔形成水路；

水平調整組件包括水平調整副室、頂板與KF10×40法蘭；

水平調整副室是空心圓柱結構，底部焊設于下圓盤上端面，在側部開有單邊通孔，用于焊接KF10×40法蘭；頂板是由自上而下的三個空心圓柱組成的工字型結構，焊接于水平調整副室上端面上；

氬氣管路為通過焊接三通連接的3/8EP管與KF10×20法蘭組成的管路，3/8EP管有兩根，端部分別與下圓盤上端面的貫穿孔焊接。氬氣從KF10×20法蘭進入，通過焊接三通與3/8EP管分為兩路進入單晶爐副爐室。