[實用新型]一種防漏光的LED調光驅動電路有效
| 申請號: | 201821855409.1 | 申請日: | 2018-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN209593828U | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 謝宏群 | 申請(專利權)人: | 廈門市義圓源科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B33/08 | 分類號: | H05B33/08 |
| 代理公司: | 廈門律嘉知識產權代理事務所(普通合伙) 35225 | 代理人: | 張輝;賴小晶 |
| 地址: | 361000 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護單元 漏光 調光控制單元 紋波 本實用新型 電容 防漏光 電阻 調光控制信號 眼花 單元控制 電容效應 高頻分量 金屬外殼 閃光現象 眼睛疲勞 整流橋堆 電連接 泄放 電源 電網 輸出 | ||
本實用新型一種防漏光的LED調光驅動電路,包括去漏光保護單元、調光控制單元和去紋波單元;所述去漏光保護單元電連接于電源和所述調光控制單元之間,用于泄放電網中的高頻分量,所述調光控制單元輸出調光控制信號經由去紋波單元控制LED的亮度,實現LED調光;所述去漏光保護單元包括整流橋堆BD1、電阻RV1、電容Y1、電容Y2和電阻FR1。本實用新型通過采用去漏光保護單元克服了金屬外殼所帶來的電容效應,不會出現微亮或者閃光現象;采用去紋波單元解決了低頻頻閃的問題,減少了由于LED燈具的長時間使用而帶來的眼睛疲勞和眼花的問題。
技術領域
本實用新型涉及一種防漏光的LED調光驅動電路。
背景技術
LED作為新型光源,它有著節能、環保、高效的特點,正被應用于各個領域。由于LED的鋁基板上覆銅,若是線性恒流的LED燈具采用金屬外殼,則在關燈后會出現漏光微亮的現象。這個現象在開關不在火線上或者金屬外殼接地時更為明顯。這是因為電網中有少量高頻分量,而LED線性恒流燈板上的銅箔和絕緣層與金屬外殼之間相當于有一個小電容,而這個小電容在電網中的高頻分量中相當于短路,這就形成了一個電路回路,雖然這種情形下的電流一般都很微小,但還是會有電流經過LED,從而出現漏光微亮現象。
實用新型內容
本實用新型為了解決上述存在的問題,提供一種防漏光的LED調光驅動電路。添加去漏光保護電路后,不論開關控制的是在火線上還是零線上,電網中的高頻分量會通過去漏光保護電路中的電容直接泄放掉,而不會出現漏光現象。
本實用新型采用如下技術方案: 一種漏光的LED調光驅動電路,包括去漏光保護單元、調光控制單元和去紋波單元;所述去漏光保護單元電連接于電源和所述調光控制單元之間,用于泄放電網中的高頻分量,所述調光控制單元輸出調光控制信號經由去紋波單元控制LED的亮度,實現LED調光;所述去漏光保護單元包括整流橋堆BD1、電阻RV1、電容Y1、電容Y2和電阻FR1,所述電容Y1和電容Y2的一端共同接地,所述電容Y1的另一端接電源N極,所述電源N極連接整流橋堆BD1的輸入端,所述電容Y2的另一端連接電阻FR1,所述電源L極通過電阻FR1連接整流橋堆BD1的另一個輸入端,所述整流橋堆BD1的正極輸出端接電阻RV1后接地,所述整流橋堆BD1的負極輸出端接地。
優選的,所述調光控制單元包括驅動芯片U1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電容EC1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、二極管D1;所述二極管D1的正極連接整流橋堆BD1的正極輸出端和電阻R7,所述電阻R7的另一端連接驅動芯片U1的引腳BLD,所述二極管D1的負極通過電阻R1與驅動芯片U1的引腳VIN連接,所述電阻R2與電容EC1并聯,電容EC1的正極與二極管D1的負極連接,電容EC1的負極與驅動芯片U1的引腳PVIN連接,所述驅動芯片U1的引腳VIN通過電容C6接地,所述驅動芯片U1的引腳BUS1通過電容C4接地,所述驅動芯片U1的引腳VS通過電阻R8接地,所述驅動芯片U1的引腳CF通過電容C5接地, 所述驅動芯片U1的引腳PVIN分別連接LED的負極、以及通過電容C7接地, 所述驅動芯片U1的引腳GND接地,所述電阻R9和電容C3并聯后分別連接驅動芯片U1的引腳COMP和接地,所述電阻R3和電容C2并聯后分別連接驅動芯片U1的引腳CF2和接地。
優選的,所述去紋波單元包括電阻R4、電容C1、二極管Z1、二極管Z2、MOS管Q1,所述MOS管Q1的漏極分別與二極管Z2的負極、二極管D1的負極和電阻R4電連接,所述MOS管Q1的柵極分別與二極管Z2的正極、電阻R4的另一端、二極管Z2的負極和電容C1電連接,所述MOS管Q1的源極分別與二極管Z1的正極、電容C1的另一端、LED的正極電連接。
進一步的,所述驅動芯片U1的型號為SY59103。
進一步的,MOS管Q1為N溝道增強型場效應管。
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