[實(shí)用新型]一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821851832.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN208819888U
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱袁正;葉鵬;華凌飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫新潔能股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括若干個(gè)相互并聯(lián)的器件元胞單元，所述器件元胞單元包括半導(dǎo)體基板，在所述器件元胞單元截面方向上，所述半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型漂移層（3），在所述第一導(dǎo)電類型漂移層（3）內(nèi)的上部設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)（5）、溝槽（13）及位于第二導(dǎo)電類型體區(qū)（5）內(nèi)上部的第一導(dǎo)電類型發(fā)射極（4），所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)（5）、第一導(dǎo)電類型發(fā)射極（4）均與溝槽（13）一側(cè)鄰接，其特征在于，在所述溝槽（13）內(nèi)設(shè)有被第一氧化層（7）和第二氧化層（11）一側(cè)包裹的多晶硅柵極（6）、位于第一氧化層（7）外側(cè)的半包圍多晶硅柵極（6）的半封閉式屏蔽柵（10），所述半封閉式屏蔽柵（10）被第二氧化層（11）包裹，所述第二氧化層（11）緊貼溝槽（13）內(nèi)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半封閉式屏蔽柵（10）分布在多晶硅柵極（6）遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電類型發(fā)射極（4）的一側(cè)及其下方，且所述多晶硅柵極（6）遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電類型發(fā)射極（4）的一側(cè)與第一導(dǎo)電類型漂移層（3）間依次通過(guò)第一氧化層（7）、半封閉式屏蔽柵（10）、第二氧化層（11）間隔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一導(dǎo)電類型漂移層（3）上依次覆蓋有氧化保護(hù)層（8）、發(fā)射極金屬（9），所述發(fā)射極金屬（9）與所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)（5）、第一導(dǎo)電類型發(fā)射極（4）歐姆接觸，所述半封閉式屏蔽柵（10）與發(fā)射極金屬（9）電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一導(dǎo)電類型漂移層（3）下方依次設(shè)有第一導(dǎo)電類型截止層（2）、第二導(dǎo)電類型集電極（1）及集電極金屬（12），所述集電極金屬（12）與第二導(dǎo)電類型集電極（1）歐姆接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二氧化層（11）緊貼多晶硅柵極（6）的一側(cè)為柵氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半封閉式屏蔽柵IEGT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，對(duì)于N型屏蔽柵IEGT器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型導(dǎo)電，所述第二導(dǎo)電類型為P型導(dǎo)電；對(duì)于P型屏蔽柵IEGT器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型導(dǎo)電，所述第二導(dǎo)電類型為N型導(dǎo)電。