[實用新型]一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821851154.1
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN209367814U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許鵬;程小會;李金生
• 申請（專利權(quán)）人: 河南硅烷科技發(fā)展股份有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 許昌豫創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 41140
• 代理人: 李海帆

1.一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：包括石墨底座（1）、基電極（2）、水平導(dǎo)電座（3）、錐形電極（4）、環(huán)形電極（5）、絕緣套管（6）和絕緣底座（7），其中，所述石墨底座（1）下部中心位置設(shè)置有圓錐形電極插孔（11），所述石墨底座（1）上部中心位置設(shè)置有倒圓錐形插槽（12），所述插槽（12）和插孔（11）之間通過軸向的連接孔（13）相通，所述基電極（2）為圓柱狀結(jié)構(gòu)，所述基電極（2）通過絕緣套管（6）固定安裝在爐盤（8）上，所述基電極（2）頂端穿過爐盤（8）固定連接有所述水平導(dǎo)電座（3），所述水平導(dǎo)電座（3）和爐盤（8）之間還設(shè)置有絕緣底座（7），所述水平導(dǎo)電底座上中間位置固定設(shè)置有所述錐形電極（4），所述水平導(dǎo)電底座上邊緣處設(shè)置有所述環(huán)形電極（5），所述錐形電極（4）和所述石墨底座（1）上的電極插孔（11）相適配，所述環(huán)形電極（5）的內(nèi)側(cè)面和所述石墨底座（1）的外側(cè)面相適配，所述錐形電極（4）和所述環(huán)形電極（5）之間的空腔（9）與所述石墨底座（1）下部相適配。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述空腔（9）底部還設(shè)置有環(huán)形的且截面為倒梯形狀結(jié)構(gòu)的壓緊腔（10）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述壓緊腔（10）側(cè)面與豎直平面夾角為6-10度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述環(huán)形電極（5）內(nèi)側(cè)面設(shè)置有螺紋，所述石墨底座（1）的外側(cè)面下部設(shè)置有相對應(yīng)的螺紋，所述環(huán)形電極（5）和石墨底座（1）通過螺紋固定連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述基電極（2）、錐形電極（4）、水平導(dǎo)電座（3）和環(huán)形電極（5）為一體式結(jié)構(gòu)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述絕緣底座（7）為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述絕緣底座（7）底面內(nèi)側(cè)和所述絕緣套管（6）頂端固定連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅烷法生產(chǎn)電子級多晶硅熱分解爐用電極組件，其特征在于：所述絕緣套管（6）和絕緣底座（7）均采用陶瓷絕緣材料。