[實用新型]一種硅光波導端面耦合器

有效

• 申請號: 201821844696.6
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN209117912U
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 方青;張志群
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅光波導端面耦合器，其特征在于：包括芯層光波導（1）、模斑壓縮光波導（2）、襯底硅（3）、下包層（4）和上包層（5），芯層光波導（1）包括依次連接的芯層光波導的反向錐形波導（7）和芯層光波導的直波導（6），模斑壓縮光波導（2）包括依次連接的輸入直波導（8）、模斑壓縮錘形波導（9）和模斑壓縮輸出波導（10），襯底硅（3）頂面上設有下包層（4），下包層（4）頂面上設有模斑壓縮光波導（2），模斑壓縮光波導（2）四周被上包層（5）完全覆蓋，芯層光波導（1）位于模斑壓縮光波導（2）內部且被斑壓縮光波導（2）完全包裹，下包層（4）和上包層（5）材料折射率低于模斑壓縮光波導（2）材料折射率，模斑壓縮光波導（2）材料折射率低于芯層光波導（1）材料折射率，模斑壓縮光波導（2）中輸入直波導（8）模斑尺寸與光纖輸出的光信號光纖模斑尺寸相匹配，模斑壓縮光波導（2）中模斑壓縮輸出波導（10）光模場尺寸與芯層光波導（1）中芯層光波導的反向錐形波導（7）模場尺寸相匹配。

2.根據權利要求1所述的硅光波導端面耦合器，其特征在于：所述芯層光波導（1）位于模斑壓縮光波導（2）中心位置。

3.根據權利要求1所述的硅光波導端面耦合器，其特征在于：所述芯層光波導的直波導（6）、芯層光波導的反向錐形波導（7）、輸入直波導（8）、模斑壓縮錘形波導（9）和模斑壓縮輸出波導（10）波導類型均為條形波導或脊型波導。

4.根據權利要求1所述的硅光波導端面耦合器，其特征在于：所述芯層光波導（1）材料為Si、SiN或SiON高折射率的材料；模斑壓縮光波導（2）為SiN、SiON或高折射率SiO₂高折射率的材料；下包層（4）或上包層（5）為SiON或SiO₂低折射率的材料。

5.根據權利要求1所述的硅光波導端面耦合器，其特征在于：所述芯層光波導的反向錐形波導（7）為單個反向錐形波導或者重疊的多個反向錐形波導。

6.根據權利要求1所述的硅光波導端面耦合器，其特征在于：所述輸入直波導（8）、模斑壓縮錘形波導（9）頂部均設有一個或多個重疊的水平錘形波導。