[實用新型]一種電容傳感器微弱電容測量保護電路

有效

• 申請號: 201821843123.1
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN209231423U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 周偉偉
• 申請（專利權）人: 煥玨（上海）集成電路有限公司
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電容傳感器微弱電容測量保護電路，其特征在于，包括第一開關、第二開關、第三開關、第四開關、第五開關、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一運算放大器、第二運算放大器、第一同相緩沖器和第二同相緩沖器，所述第一開關為輸入端，所述第一開關的另一端分別連接所述第二開關和所述第一電容，所述第二電容的一端分別連接所述第三電容和所述第一運算放大器的負輸入端，所述第二開關的另一端、所述第一電容的另一端、所述第二電容的另一端和所述第一運算放大器的正輸入端分別接地，所述第三開關與所述第三電容并聯，所述第一運算放大器的輸出端有兩路，一路依次通過所述第四開關、所述第一同相緩沖器連接所述第二運算放大器的正輸入端，另一路依次通過所述第五開關、所述第二同相緩沖器連接所述第二運算放大器的負輸入端，所述第一同相緩沖器的輸入端通過所述第四電容接地，所述第二同相緩沖器的輸入端通過所述第五電容接地，所述第二運算放大器的輸出為輸出端，外部被測電容位于所述第一電容和所述第二電容之間。

2.如權利要求1所述電容傳感器微弱電容測量保護電路，其特征在于，所述第三電容的值為5pF。

3.如權利要求1所述電容傳感器微弱電容測量保護電路，其特征在于，所述第一開關、所述第二開關、所述第三開關、所述第四開關、所述第五開關均采用型號為ADG212A的CMOS開關。

4.如權利要求1所述電容傳感器微弱電容測量保護電路，其特征在于，所述第一運算放大器和所述第二運算放大器均采用TL081。