[實用新型]一種聲表面濾波芯片的封裝結構有效
| 申請號: | 201821842641.1 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN208848929U | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 陳棟;張黎;柳國恒;張憬;趙強;陳錦輝;賴志明 | 申請(專利權)人: | 江陰長電先進封裝有限公司 |
| 主分類號: | H01L41/053 | 分類號: | H01L41/053;H01L41/23;H01L23/498 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 趙華 |
| 地址: | 214431 江蘇省無錫市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聲表面波濾波器芯片 金屬擋環 芯片功能 再布線層 多層 本實用新型 封裝結構 濾波芯片 聲表面 空腔 半導體芯片封裝 聲表面波濾波器 金屬連接塊 垂直區域 內側區域 包封層 成品率 圍墻狀 倒裝 固連 傳導 外圍 | ||
本實用新型公開了一種聲表面濾波芯片的封裝結構,屬于半導體芯片封裝技術領域。其包括正面設有芯片功能區(11)的聲表面波濾波器芯片(10),所述聲表面波濾波器芯片(10)通過金屬連接塊(12)與多層再布線層(20)多點倒裝連接,將聲表面波濾波器芯片(10)的電信號向下傳導;所述金屬擋環(60)設置在多層再布線層(20)的外圍,且與多層再布線層(20)固連,金屬擋環(60)呈圍墻狀,其內側區域置于聲表面波濾波器芯片(10)的芯片功能區(11)的垂直區域中;所述包封層(16)在聲表面波濾波器芯片(10)的下方、金屬擋環(60)的內側形成空腔(14),將所述芯片功能區(11)置于空腔(14)內。本實用新型提高了聲表面波濾波器的成品率。
技術領域
本實用新型涉及一種聲表面濾波芯片的封裝結構,屬于半導體芯片封裝技術領域。
背景技術
聲表面波濾波器是移動通訊終端產品的重要部件,原材料是采用壓電晶體制作而成。隨著移動終端的小型化、低成本化,對聲表面波濾波器的封裝要求也相應的提高了。同時因聲表面波濾波器產品性能和設計功能需求,需要保證濾波芯片功能區域不能接觸任何物質,即空腔結構設計。基于聲表面波濾波器對封裝結構中空腔結構的需求,以及空腔表面平整度和潔凈度的要求,傳統的聲表面波濾波器大多采用陶瓷基板封裝結合熱壓超聲焊接的方式進行封裝。如圖1所示,在陶瓷基板2上設有鍍金焊盤3,在焊盤3上設有錫膏層4,在焊盤3周圍的陶瓷基板2上設有絕緣層5;在芯片1的焊接面植有金球6,芯片1通過金球6與錫膏層4相焊接的方式與陶瓷基板2緊固連接在一起。現有的這類聲表面波濾波器封裝結構存在以下缺陷:一、陶瓷基板必須采用金球的熱壓超聲焊接,導致材料和工藝成本居高不下;二、陶瓷基板本身厚度和重量都較大,使得封裝結構體積大、工藝復雜同時性價比低,和移動終端需求的薄、小、輕背道而馳;三、器件安裝的準確性、信號導線的影響、焊接的角度等這一系列的不確定性便造成了器件性能的不一致性,甚至對聲表面波濾波器造成破壞。
發明內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中存在的不足,提供一種不需采用陶瓷基板封裝聲表面波濾波器芯片的封裝結構,以提高聲表面波濾波器的成品率。
本實用新型的目的是這樣實現的:
本實用新型一種聲表面濾波芯片的封裝結構,其包括正面設有芯片功能區的聲表面波濾波器芯片,
其還包括金屬連接塊、多層再布線層、金屬擋環和包封層,所述金屬連接塊設置在所述芯片功能區的外圍,且至少兩個,所述聲表面波濾波器芯片通過金屬連接塊與多層再布線層多點倒裝連接,將聲表面波濾波器芯片的電信號向下傳導;
所述金屬擋環設置在多層再布線層的外圍,且與多層再布線層固連,金屬擋環呈圍墻狀,其內側區域置于聲表面波濾波器芯片的芯片功能區的垂直區域中;
所述包封層將聲表面波濾波器芯片和金屬擋環的裸露面包封,并在聲表面波濾波器芯片的下方、金屬擋環的內側形成空腔,將所述芯片功能區置于空腔內。
本實用新型所述聲表面波濾波器芯片與金屬擋環之間的間隙寬度在8~12微米。
本實用新型所述金屬擋環從下而上依次包括再布線金屬圖形層Ⅱ、金屬層/塊Ⅱ和焊料層Ⅱ。
本實用新型所述金屬擋環從下而上依次包括再布線金屬圖形層Ⅱ和金屬層/塊Ⅱ。
本實用新型所述金屬擋環呈不連續的圍墻。
本實用新型所述金屬擋環的缺口寬度在8~12微米。
本實用新型所述多層再布線層包括至少一層再布線金屬圖形層和至少一層介電層,所述再布線金屬圖形層彼此之間存在選擇性電性連接,所述介電層包裹再布線金屬圖形層或填充于相鄰的再布線金屬圖形層之間,所述多層再布線層的上表面設置與金屬連接塊位置對應的輸入/輸出端Ⅰ,并其下表面設置多層再布線層開口露出再布線金屬圖形層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江陰長電先進封裝有限公司,未經江陰長電先進封裝有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821842641.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





