[實用新型]晶片自動裂片設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821832786.3 | 申請日: | 2018-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN208923043U | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 史國順;楊勇;馬齊營 | 申請(專利權(quán))人: | 山東芯諾電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 37212 | 代理人: | 盧登濤 |
| 地址: | 272100 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聯(lián)接 升降支架 支架 外部 人機操作 升降軌道 聯(lián)接塊 升降裝置 自動裂片 滾軸 裂片 半導體元器件 本實用新型 自動化設(shè)備 晶粒 晶片分離 驅(qū)動裝置 生產(chǎn)效率 生產(chǎn)裝置 左右兩側(cè) 控制器 晶圓片 聯(lián)接桿 按鈕 晶片 種晶 顯示器 配合 | ||
1.一種晶片自動裂片設(shè)備,包括外部支架(4),其特征在于:所述的外部支架(4)的下方聯(lián)接有升降裝置(2),升降裝置(2)的下方聯(lián)接有升降支架(7),升降支架(7)的下方通過滾軸聯(lián)接桿(10)聯(lián)接有滾軸(12),升降支架(7)的左右兩側(cè)聯(lián)接有聯(lián)接塊(6),聯(lián)接塊(6)的外部設(shè)有升降軌道(5),升降軌道(5)聯(lián)接在外部支架(4)的內(nèi)側(cè),聯(lián)接塊(6)與升降軌道(5)相配合實現(xiàn)相對運動,升降支架(7)的下方設(shè)有裂片盤(8),裂片盤(8)的下方設(shè)有驅(qū)動裝置,外部支架(4)的一側(cè)設(shè)有人機操作平臺(15),人機操作平臺(15)內(nèi)設(shè)有控制器,人機操作平臺(15)的外部設(shè)有顯示器(14)和按鈕(16),控制器連接升降裝置(2)、驅(qū)動裝置、顯示器(14)和按鈕(16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的驅(qū)動裝置包括步進電機(18),步進電機(18)上設(shè)有轉(zhuǎn)盤(17),轉(zhuǎn)盤(17)聯(lián)接裂片盤(8)實現(xiàn)裂片盤(8)的旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的裂片盤(8)的下方還設(shè)有滑塊(9),步進電機(18)設(shè)置在滑塊(9)的上方,滑塊(9)的下方設(shè)有與其相配合的電動滑軌(11),裂片盤(8)通過滑塊(9)可以在電動滑軌(11)移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的裂片盤(8)中心的下方設(shè)有負壓發(fā)生器(19)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的升降支架(7)的上方設(shè)有壓力調(diào)節(jié)裝置(3),壓力調(diào)節(jié)裝置(3)為調(diào)節(jié)螺栓,壓力調(diào)節(jié)裝置(3)的上方通過螺桿(1)聯(lián)接外部支架(4),壓力調(diào)節(jié)裝置(3)的下方設(shè)有彈簧(13)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的升降裝置(2)包括液壓油缸,液壓油缸的活塞桿聯(lián)接升降支架(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的控制器為PLC控制器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的滾軸(12)的直徑大于3CM且可以實現(xiàn)滾動。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片自動裂片設(shè)備,其特征在于:所述的裂片盤(8)為四氟材質(zhì),表面由皮質(zhì)包裹,直徑為15-20cm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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