[實用新型]一種高集成度導航信號處理SIP裝置有效
| 申請號： | 201821830942.2 | 申請日： | 2018-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN208847195U | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | 楊兵;楊芳;王良江;李蕾蕾 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | G01C21/00 | 分類號： | G01C21/00;G05B19/042 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 轉接基板 芯片 導航信號處理 電壓轉換芯片 數據處理裝置 通訊接口裝置 本實用新型 高集成度 接口芯片 陶瓷管殼 程序存儲芯片 數據存儲芯片 信號處理核心 基板上表面 基板下表面 接口處理 裸芯片 上表面 雙腔體 下表面 疊層 封裝 一體化 | ||
1.一種高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，包括數據處理裝置、通訊接口裝置、硅轉接基板和HTCC陶瓷管殼，數據處理裝置包括信號處理核心芯片DSP、接口處理芯片FPGA、數據存儲芯片SRAM和程序存儲芯片FLASH，通訊接口裝置包括PROM芯片、電壓轉換芯片和接口芯片，信號處理核心芯片DSP、數據存儲芯片SRAM和程序存儲芯片FLASH連接于硅轉接基板的上表面上且整體密封設于HTCC陶瓷管殼的上表面腔體內，接口處理芯片FPGA連接于硅轉接基板的下表面上且密封設于HTCC陶瓷管殼的上表面腔體內，硅轉接基板連接于HTCC陶瓷管殼的HTCC基板上表面上，PROM芯片、電壓轉換芯片和接口芯片連接于HTCC陶瓷管殼的HTCC基板下表面上且密封設于HTCC陶瓷管殼的下表面腔體內。
2.根據權利要求1所述的高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，信號處理核心芯片DSP用于核心算法處理接收到的信號數據，數據預處理采用接口處理芯FPGA實現，信號處理核心芯片DSP的程序存儲采用Flash實現，接口處理芯FPGA的程序存儲采用PROM芯片實現，組合導航算法處理中間數據采用數據存儲芯片SRAM實現，接口芯片采用RS485和RS422實現通訊接口與上位機通訊和信息交換。
3.根據權利要求1所述的高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，信號處理核心芯片DSP、數據存儲芯片SRAM和程序存儲芯片FLASH通過鍵合方式連接于硅轉接基板的上表面上，接口處理芯片FPGA通過鍵合方式連接于硅轉接基板的下表面上。
4.根據權利要求1所述的高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，PROM芯片、電壓轉換芯片和接口芯片通過鍵合方式連接于HTCC陶瓷管殼的HTCC基板下表面上。
5.根據權利要求1所述的高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，HTCC基板采用高溫陶瓷基板，HTCC基板的上表面和下表面上形成安裝腔體，安裝腔體上鍍有布線。
6.根據權利要求1所述的高集成度導航信號處理SIP裝置，其特征在于，硅轉接基板采用3.0um工藝2層金屬結構。
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