[實用新型]一種低壓大電流防反灌電路有效
| 申請號： | 201821818663.4 | 申請日： | 2018-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN209072054U | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 吳曉軒;吳和斌;萬昱麟 | 申請（專利權）人： | 武漢泓承科技有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/12 | 分類號： | H02H7/12;H02H11/00 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 徐瑛;祝蓉蓉 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 本實用新型 功率MOSFET 電路 低壓大電流 截止 低導通電阻 負載穩定度 二極管 導通電阻 導通損耗 導通壓降 電性連接 反向電流 改善電路 工作效率 輸出電路 輸入電路 體二極管 輸出壓 應用 改進 | ||
1.一種低壓大電流防反灌電路，其電性連接于一輸入電路和一輸出電路之間，其特征在于，所述輸入電路的輸出端分別連接第三電阻的一端、第一電容的一端、第二功率MOSFET的漏極、第一電阻的一端、第二電容的一端、第六電阻的一端和第三功率MOSFET的源極；所述第三電阻的另一端分別連接第五電阻的一端、第一功率MOSFET的柵極、第二功率MOSFET的柵極、第一三極管的集電極；所述第一電容的另一端連接第四電阻的一端；所述第二功率MOSFET的源極連接所述第一功率MOSFET的源極、所述第一電阻的另一端、第七電阻的一端；所述第一電阻的另一端連接所述第二功率MOSFET的源極、所述第一功率MOSFET的源極、所述第七電阻的一端；所述第六電阻的另一端連接第一三極管的發射極；所述第七電阻的另一端連接所述第三功率MOSFET的柵極；
電源VCC分別連接所述第五電阻的另一端、所述第四電阻的另一端、第二電阻的一端、所述第二電容的另一端、第八電阻的一端；所述第二電阻的另一端連接所述第一功率MOSFET的漏極；所述第八電阻的另一端連接所述第一三極管的基極、第二三極管的發射極、第二三極管的基極，所述第一三極管的基極連接所述第二三極管的基極；
所述輸出電路的輸入端分別連接所述第三功率MOSFET的漏極、第二三極管的集電極。
2.根據權利要求1所述的一種低壓大電流防反灌電路，其特征在于，所述第一功率MOSFET為P溝道功率MOSFET，所述第二功率MOSFET為N溝道功率MOSFET，所述第三功率MOSFET為具有低導通電阻的N溝道功率MOSFET。
3.根據權利要求1所述的一種低壓大電流防反灌電路，其特征在于，所述第一三極管、第二三極管均為NPN三極管。
4.根據權利要求1所述的一種低壓大電流防反灌電路，其特征在于，所述第三功率MOSFET導通時，其導通壓降等于所述第三功率MOSFET的導通電阻乘以通過所述第三功率MOSFET的電流。
5.根據權利要求1所述的一種低壓大電流防反灌電路，其特征在于，所述第三功率MOSFET截止時，所述第三功率MOSFET的體二極管亦截止，防止反向電流流入。
6.根據權利要求1所述的一種低壓大電流防反灌電路，其特征在于，所述輸入電路的輸出端負極連接所述第三功率MOSFET的源極，所述輸出電路的輸入端正極連接所述第三功率MOSFET的漏極。
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