[實用新型]顯示基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821813897.X | 申請日: | 2018-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN208753326U | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐健 | 申請(專利權)人: | 北京京東方技術開發(fā)有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100176 北京市北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素單元 像素單元 顯示基板 顯示裝置 純色 本實用新型 色子 鋸齒 多行多列 交替設置 顯示圖像 行子像素 多列 模糊 | ||
本實用新型提供一種顯示基板,所述顯示基板包括多個子像素單元,多個所述子像素單元排列為多行多列,其中,多列所述子像素單元包括交替設置的純色子像素單元列和混合色子像素單元列,所述純色子像素單元列包括對應于同一種顏色的多個子像素單元,所述混合色子像素單元列中,相鄰兩個子像素單元對應的顏色不同,且在同一行子像素單元中,純色子像素單元列中的子像素單元兩側的子像素單元對應的顏色不同。本實用新型還提供一種顯示裝置。所述顯示裝置在顯示圖像時,邊緣不會出現鋸齒或模糊。
技術領域
本實用新型涉及顯示設備領域,具體地,涉及一種顯示基板和一種包括該顯示基板的顯示裝置。
背景技術
顯示裝置包括排列為陣列的多個子像素單元,通過控制各個子像素單元發(fā)光來顯示不同的圖像。
但是,在利用顯示裝置顯示圖像時,有時會出現圖像邊界模塊、據此等不良現象,為了解決這一問題,只能盡量提高顯示基板的PPI(pixel per inch,每英寸子像素單元的數量)。但是,顯示裝置的PPI往往受到工藝條件的限制,而改善工藝條件又需要較高的成本。
因此,如何在現有的工藝條件下制造出具有良好顯示效果的顯示裝置成為本領域亟待解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種顯示基板和一種包括該顯示基板的顯示裝置。所述顯示基板的制造成本較低,并且包括所述顯示基板的顯示裝置可以實現良好的顯示效果。
為了實現上述目的,作為本實用新型的一個方面,提供一種顯示基板,所述顯示基板包括多個子像素單元,多個所述子像素單元排列為多行多列,其中,多列所述子像素單元包括交替設置的純色子像素單元列和混合色子像素單元列,所述純色子像素單元列包括對應于同一種顏色的多個子像素單元,所述混合色子像素單元列中,相鄰兩個子像素單元對應的顏色不同,且在同一行子像素單元中,純色子像素單元列中的子像素單元兩側的子像素單元對應的顏色不同。
優(yōu)選地,所述純色子像素單元列包括對應于綠色的綠色子像素單元,所述混合色子像素單元列包括對應于紅色的紅色子像素單元和對應于藍色的藍色子像素單元。
優(yōu)選地,所述綠色子像素單元的面積小于所述紅色子像素單元的面積,且所述綠色子像素單元的面積小于所述藍色子像素單元的面積。
優(yōu)選地,所述綠色子像素單元的開口形狀為矩形;或者
所述綠色子像素單元的開口形狀為橢圓形,所述橢圓形的長軸與列方向之間存在夾角,且任意一個綠色子像素單元的長軸的傾斜方向與該綠色子像素單元周圍的綠色子像素單元的長軸傾斜方向相反。
優(yōu)選地,所述顯示基板包括具有多個像素開口的像素界定層,所述子像素單元包括有機發(fā)光二極管,多個所述像素開口與多個所述子像素單元一一對應,所述有機發(fā)光二極管的至少一部分位于相應的像素開口中。
優(yōu)選地,所述像素開口下部的開口面積不超過所述像素開口上部的開口面積。
優(yōu)選地,所述像素開口的側壁的坡度角在20°至40°之間。
優(yōu)選地,所述像素開口的側壁的坡度角在26°至27°之間。
優(yōu)選地,所述像素開口上部的開口面積與所述像素開口下部的開口面積之比在1至1.6之間。
優(yōu)選地,所述有機發(fā)光二極管包括紅色有機發(fā)光二極管、綠色有機發(fā)光二極管和藍色有機發(fā)光二極管,
所述紅色有機發(fā)光二極管對應的像素開口的上部的開口面積與該紅色有機發(fā)光二極管對應的像素開口的下部的開口面積之比在1.45至1.55之間;
所述藍色有機發(fā)光二極管對應的像素開口的上部的開口面積與該藍色有機發(fā)光二極管對應的像素開口的下部的開口面積之比在1.45至1.55之間;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





