[實用新型]一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備

有效

• 申請號: 201821809204.X
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN209555352U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本實用新型公開了一種鍍膜設備沉積腔室，在所述沉積腔室的底板上設置有金屬蒸發源和非金屬蒸發源，其中，在所述底板上設置的每排非金屬蒸發源的個數為M個；并且，該M個非金屬蒸發源分散布置在所述底板的長度方向；M為大于等于8小于等于15的整數；其中，在非金屬蒸發源的兩側沿所述底板的長度方向分別設置有一排金屬蒸發源，設置在非金屬蒸發源一側的一排金屬蒸發源與設置在非金屬蒸發源另一側的金屬蒸發源對稱設置。本方案，使得通過鍍膜設備沉積腔室在玻璃襯底表面形成的CIGS膜厚度均勻，性能良好，從而使得形成的包括CIGS膜的太陽能電池具有較高的發電效率，有效滿足用電需求。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池制備設備領域，尤其涉及一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備。

背景技術

在基板上附著CIGS(CuIn_xGa_(1-x)Se₂的簡寫，主要組成有Cu(銅)、In(銦)、Ga(鎵)、Se(硒))膜，以形成太陽能電池，方可使太陽能電池具有將太陽能轉化為電能的功能。

現有技術方案中主要采用磁控濺射的方法在基板上形成CIGS膜，以形成太陽能電池的方法，該方法主要是利用氣體放電產生的正離子在電場的作用下高速運動進而轟擊作為陰極的靶，使作為陰極的靶中的原子或分子從原有物質中逃逸出來進而沉淀到基板的表面，以在基板上形成可將太陽能轉化為電能的薄膜。采用該磁控濺射方法形成的薄膜與基板有較好的附著性，且形成的薄膜的密度較高。

然而，磁控濺射方法是采用環狀磁場控制下的輝光放電，其成膜速率差且磁控濺射的設備需要高壓裝置，導致設備復雜昂貴，不利于大規模生產太陽能電池。除此之外，通過磁控濺射形成的CIGS薄膜厚度不均勻，質量較差，由此導致太陽能電池的性能較差，發電效率較低。

綜上所述，現有技術方案中缺少一種可形成厚度均勻、質量較高的CIGS薄膜的鍍膜設備和鍍膜設備。

實用新型內容

本實用新型實施例提供一種鍍膜設備沉積腔室和鍍膜設備，以解決現有技術中缺少一種形成的CIGS膜厚度均勻、具有高發電效率的鍍膜設備沉積腔室的技術問題。

根據本實用新型提供的一種鍍膜設備沉積腔室，在所述底板上沿第一預設方向設置的每排非金屬蒸發源的個數為M個；并且，該M個非金屬蒸發源沿第一預設方向分散布置在所述底板上；M為大于等于8小于等于15的整數；其中，在非金屬蒸發源的兩側，沿第二預設方向分別設置有一排金屬蒸發源，設置在非金屬蒸發源一側的一排金屬蒸發源與設置在非金屬蒸發源另一側的金屬蒸發源以所述第一預設方向所在的直線為對稱軸對稱設置。本實用新型，沿第一預設方向在底板上設置的每排非金屬蒸發源的數量為大于等于8小于等于15的整數，且該M個非金屬蒸發源分散布置在所述底板的長度方向，可有效滿足為不同面積的玻璃襯底進行沉積以形成CIGS膜的需求，同時，每排非金屬蒸發源中相鄰兩個非金屬蒸發源之間的間距為一定值，可有效滿足生產出的CIGS膜的厚度均勻的要求。

在一個實施例中，在沉積腔室的底板上設置有多排所述非金屬蒸發源，多排非金屬蒸發源中至少包括一排基準非金屬蒸發源組，所述基準非金屬蒸發源組至少包括兩個非金屬蒸發源之間的間隔小于預設距離的非金屬蒸發源。本實用新型，有效保障了沉積腔室底板上相應區域的非金屬蒸發源布置密度，有效保障了生成的CIGS膜的厚度、面積及其性能。

在一個實施例中，在沉積腔室的底板上設置有多排非金屬蒸發源，所述多排非金屬蒸發源中至少包括兩排排列方式相同的非金屬蒸發源，在所述至少兩排排列方式相同的非金屬蒸發源，其中一排的首端、末端的非金屬蒸發源較另一排的首端、末端的非金屬蒸發源在第一預設上均錯位預設距離。如此，可使得非金屬蒸發源在底板上占據更大的面積，從而可在玻璃襯底上形成的CIGS膜的面積可以得到有效的保證，從而有效保證了CIGS膜的性能及發電效率。除此之外，相對于無規則排布，本排布方式，可使得非金屬蒸發源在底板上的排布較為均勻，從而在滿足沉積形成的CIGS膜較為均勻的基礎上，有效保障非金屬蒸發源在底板上的排布較為整齊，便于后期維護。