[實用新型]電流采樣電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821807762.2
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN209247860U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張瑞;陳遠(yuǎn)明;葉青
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種電流采樣電路，包括主電流采樣MOS管組、輔助電流采樣MOS管組、誤差放大器以及電流鏡模塊，其特征在于，所述的電流采樣電路具有以下兩種連接方式中的一個或多個：

(1)所述的主電流采樣MOS管組分別通過兩根獨(dú)立的金屬線與所述的誤差放大器的正端及所述的電流鏡模塊相連接；

(2)所述的輔助電流采樣MOS管組中并聯(lián)的N組MOS管單元分別通過N根阻值相等的金屬條與所述的電流鏡模塊中的第一子支電流鏡的源端相連接，其中N為MOS管單元的數(shù)量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的將所述的主電流采樣MOS管組分別通過兩根獨(dú)立的金屬線與所述的誤差放大器的正端及所述的電流鏡模塊連接的連接方式包括：

所述的主電流采樣MOS管組和所述的誤差放大器的正端通過第一金屬線連接；

所述的主電流采樣MOS管組和所述的電流采樣電路中的電流鏡模塊中的第一子支電流鏡的源端以及第二子支電流鏡的源端之間通過第二金屬線連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的主電流采樣MOS管組還通過所述的第二金屬線與襯底相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的第一金屬線接于所述的主電流采樣MOS管組中恒導(dǎo)通的MOS管漏端的部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流采樣電路，其特征在于，N根阻值相等的金屬條為長度相等的金屬條。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的輔助電流采樣MOS管組中包括4組MOS管單元，所述的4組MOS管單元分別通過第一金屬條、第二金屬條、第三金屬條及第四金屬條與所述的電流鏡模塊中的第一子支電流鏡的源端連接；其中，所述的第一金屬條與所述的第四金屬條均為“L”形結(jié)構(gòu)，所述的第二金屬條與所述的第三金屬條均為蛇形結(jié)構(gòu)；所述的第二金屬條與所述的第三金屬條的彎折次數(shù)分別由所述的第一金屬條和第四金屬條的長度決定。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的第一金屬條和第二金屬條中與所述的輔助電流采樣MOS管組連接的一端通過一同層金屬線相連接，所述的第三金屬條和第四金屬條中與所述的輔助電流采樣MOS管組連接的一端通過另一同層金屬線相連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的第一金屬條、第二金屬條、第三金屬條以及第四金屬條中不與所述的輔助電流采樣MOS管組連接的另一端均與第三金屬線相連接，并通過該第三金屬線與所述的第一子支電流鏡的源端相連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的輔助電流采樣MOS管組通過所述的第四金屬條中較短的一邊與所述的誤差放大器的負(fù)端相連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流采樣電路，其特征在于，所述的第一金屬條與所述的第四金屬條對稱設(shè)置，所述的第二金屬條與第三金屬條對稱設(shè)置。