[實用新型]一種制備碳化硅單晶的坩堝有效
| 申請號： | 201821803138.5 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN209481848U | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | 高超;李長進;劉家朋;李加林;李宏剛;劉鵬飛;孫元行 | 申請（專利權）人： | 山東天岳先進材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 濟南千慧專利事務所(普通合伙企業) 37232 | 代理人： | 吳紹群 |
| 地址： | 250100 山東省濟南市高新區*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅單晶 坩堝 坩堝主體 套環 制備 快速轉換 制造成本 軸向移動 發熱區 配套的 螺紋 襯底 單晶 熱場 申請 外部 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備碳化硅單晶的坩堝，其特征在于，所述坩堝包括坩堝主體和至少一個套環，所述套環設置在坩堝主體的外部，所述套環可沿坩堝主體軸向移動套環。
2.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體的側壁外表面與所述套環的內表面通過螺紋連接。
3.根據權利要求2所述的坩堝，其特征在于，所述螺紋的螺距為0.2-2mm。
4.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述套環到所述坩堝的投影高度為5-15mm。
5.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述套環到所述坩堝的投影高度與所述坩堝主體的高度比值為1：5-20。
6.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述套環的厚度為5-25mm。
7.根據權利要求1所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體的側壁外表面具有標識，標識可標記套環的位置。
8.根據權利要求7所述的坩堝，其特征在于，所述標識為刻度標記。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的坩堝，其特征在于，所述的坩堝為石墨坩堝，所述的套環為石墨套環。
10.一種碳化硅晶體生長裝置，其特征在于，包含權利要求1-9中任一項所述的坩堝。
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