[實用新型]VAD制備光纖預制棒的裝置

有效

• 申請號: 201821793513.2
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN209442875U
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 李亞明
• 申請（專利權）人: 藤倉烽火光電材料科技有限公司
• 主分類號: C03B37/014
• 分類號: C03B37/014
• 代理公司: 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225
• 代理人: 張凱

本實用新型公開了一種VAD制備光纖預制棒的裝置，包括沉積室，沉積室內設有：用于安裝光纖預制棒的安裝區；芯層噴燈，其設于安裝區的底部；包層噴燈組件，其設于光纖預制棒的一側，包層噴燈組件包括：豎直移動平臺，豎直移動平臺一側的長度上設有與待沉積的光纖預制棒的包層所在區域相應設置的限位區；至少兩個包層噴燈，包層噴燈設于限位區內；控制器，其用于控制驅動裝置驅動包層噴燈在限位區內沿豎直移動平臺上下移動。包層的沉積速度不受芯層沉積速度的影響，大大提高了整體生產效率。

技術領域

本實用新型涉及光纖預制棒生產領域，具體涉及一種VAD制備光纖預制棒的裝置。

背景技術

目前公知的光纖預制棒的制造工藝，典型的有管內法氣相沉積工藝，如MCVD(modified chemical vapor deposition，改進化學氣相沉積工藝)和PCVD(plasmachemical vapor deposition，等離子體激發化學氣相沉積法)；以及管外法氣相沉積工藝，如OVD(outside vapor deposition，外部氣相沉積工藝)和VAD(vapor axial deposition，外部軸向沉積工藝)。

管內法氣相沉積工藝，如PCVD工藝，采用SiCl4，GeCl4，O2等化學原料，通入高純石英襯管內，利于微波源提供能量，激發等離子，發生化學反應，生成SiO2、GeO2等，沉積于管壁，后經過熔縮，得到實心芯棒，該工藝使用高純硅鍺料，高純石英管材，原料成本較高；而且沉積速率受到管徑的限制，很難得到有效提高，不利于產能的提高。

相比之下，管外沉積法，如VAD工藝，采用火焰氫化反應，生產SiO2、GeO2粉末，在預定的靶棒上進行沉積。在穩定可控的腔體氣流條件下，通過控制火焰噴燈的位置，調整各反應氣體用量，可沉積得到外徑均勻的光纖預制棒粉棒。粉棒經過燒結，可得到大尺寸光纖預制棒。在沉積的過程中，通過控制通入GeCl4的用量，可調整折射率分布，拉絲后可得到各種不同用途的光纖。

但是由于VAD是將預定的靶棒放入沉積室內進行沉積，首先沉積芯層，再沉積包層，采用豎向沉積的方式，最下方固定噴燈沉積芯層，上方固定噴燈沉積包層，導致芯層沉積速度比包層沉積速度慢，降低整體生產效率。

實用新型內容

針對現有技術中存在的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種VAD制備光纖預制棒的裝置，沉積包層的速度不會受到沉積芯層的速度的影響，大大提高了整體生產效率。

為達到以上目的，本實用新型采取的技術方案是：

一種VAD制備光纖預制棒的裝置，包括沉積室，所述沉積室內設有：

用于安裝光纖預制棒的安裝區；

芯層噴燈，其設于所述安裝區的底部；

包層噴燈組件，其設于所述光纖預制棒的一側，所述包層噴燈組件包括：

豎直移動平臺，所述豎直移動平臺一側的長度上設有與待沉積的光纖預制棒的包層所在區域相應設置的限位區；

至少兩個包層噴燈，所述包層噴燈設于所述限位區內；

控制器，其用于控制驅動裝置驅動所述包層噴燈在限位區內沿所述豎直移動平臺上下移動。

在上述技術方案的基礎上，所述限位區的下限位于所述光纖預制棒的芯層與包層預設的相交處。

在上述技術方案的基礎上，所述限位區的上限位和下限位處分別設置有限位開關。

在上述技術方案的基礎上，所述芯層噴燈向上傾斜延伸至光纖預制棒的芯層。

在上述技術方案的基礎上，至少兩個所述包層噴燈在限位區內沿所述豎直移動平臺同步上下移動。

在上述技術方案的基礎上，所述豎直移動平臺與所述光纖預制棒并列設置。