[實用新型]延長使用壽命的VCSEL芯片和電子器件有效
| 申請號： | 201821785469.0 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN208723311U | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根;陳偉明;許勇輝;郭河 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體多層膜反射鏡 多量子阱有源層 氧化結構 延長使用壽命 電子器件 限制層 量子阱有源層 阻擋 本實用新型 高溫條件 使用壽命 水汽 襯底 緩沖 背離 侵蝕 保證 | ||
1.一種延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底正面上的第一半導體多層膜反射鏡；
位于所述第一半導體多層膜反射鏡背離所述襯底一側的多量子阱有源層；
位于所述多量子阱有源層背離所述襯底一側的第二半導體多層膜反射鏡；
位于所述第二半導體多層膜反射鏡背離所述襯底一側的限制層，所述限制層包括導電結構和環繞所述導電結構的氧化結構；
位于所述限制層背離所述襯底一側的第三半導體多層膜反射鏡，所述第三半導體多層膜反射鏡與所述第二半導體多層膜反射鏡的摻雜類型相同，且均與所述第一半導體多層膜反射鏡的摻雜類型相反；
位于所述第三半導體多層膜反射鏡背離所述襯底一側的歐姆接觸層；
以及，位于所述歐姆接觸層背離所述襯底一側的第一電極，及位于所述襯底背面上的第二電極。
2.根據權利要求1所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半導體多層膜反射鏡、所述第二半導體多層膜反射鏡和所述第三半導體多層膜反射鏡均為DBR反射鏡。
3.根據權利要求2所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半導體多層膜反射鏡包括疊加的多個第一反射層，所述第一反射層包括依次疊加的AlAs層和AlGaAs層。
4.根據權利要求2所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第二半導體多層膜反射鏡包括疊加的多個第二反射層，所述第二反射層包括依次疊加的AlAs層和AlGaAs層。
5.根據權利要求2所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第三半導體多層膜反射鏡包括疊加的多個第三反射層，所述第三反射層包括依次疊加的AlAs層和AlGaAs層。
6.根據權利要求1所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第三半導體多層膜反射鏡的膜層數量大于所述第二半導體多層膜反射鏡的膜層數量。
7.根據權利要求1所述的延長使用壽命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半導體多層膜反射鏡為N型多層膜反射鏡；
以及，所述第二半導體多層膜反射鏡和所述第三半導體多層膜反射鏡均為P型多層膜反射鏡。
8.一種電子器件，其特征在于，所述電子器件包括權利要求1-7任意一項所述的延長使用壽命的VCSEL芯片。
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