[實用新型]一種單片清洗工藝中去靜電噴射裝置

有效

• 申請號: 201821782064.1
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN210837661U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 孫安榮
• 申請（專利權）人: 河北化工醫藥職業技術學院
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H05F1/02
• 代理公司: 北京市盛峰律師事務所 11337
• 代理人: 梁艷

本實用新型公開了一種單片清洗工藝中去靜電噴射裝置，涉及半導體集成電路制造技術領域。包括：ESD棒和nanospray噴頭，N₂經過ESD棒之后，產生帶有正負電荷的N₂，攜帶有正負電荷的N₂和去離子水同時進入nanospray噴頭并充分混合后，帶有正負電荷的小液滴噴射到晶圓表面，不僅消除了晶圓表面靜電，而且通過清洗去除了晶圓表面的顆粒，實現了對晶圓表面的真正有效的清洗。

技術領域

本實用新型涉及半導體集成電路制造技術領域，尤其涉及一種單片清洗工藝中去靜電噴射裝置。

背景技術

在半導體集成電路制造領域的單片清洗工藝中，晶圓是高速旋轉的，高速旋轉的晶圓與空氣摩擦會產生靜電，而靜電易使晶圓吸附顆粒，導致晶圓表面污染，同時，靜電也會導致晶圓表面的結構圖形損傷，如常見的晶圓表面的電弧腐蝕坑等缺陷。隨著硅片尺寸加大、器件結構的超微小化和高集成化的不斷發展，晶圓表面的靜電在單片清洗工藝中的影響越來越嚴重，尤其到了28nm及其以下技術節點。為了清除晶圓表面污染的影響，需要對其表面吸附的顆粒進行清洗。

目前，常用的清洗技術是nanospray清洗技術，其原理是氮氣(N₂)和去離子水分別直接與nanospray噴頭連接，用氮氣(N₂)作為載體把nanospray噴頭噴出的去離子水(DI)吹散，變成小液滴，小液滴打在晶圓表面把晶圓表面的顆粒去除達到清洗的目的。如圖2所示。

而采用上述方法進行清洗過程中發現，噴射到晶圓表面的清洗液與高速旋轉的晶圓摩擦會再次產生靜電，使得晶圓無法得到真正的清洗。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種單片清洗工藝中去靜電噴射裝置，從而解決現有技術中存在的前述問題。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種單片清洗工藝中去靜電噴射裝置，包括：ESD棒和nanospray噴頭，所述ESD棒通過控制線與控制器連接，所述ESD棒通過氮氣進氣管路與氮氣源連接，所述ESD棒上設置有出氣孔，所述ESD棒的外圍設置有密封罩，所述密封罩通過氮氣排氣管路與所述nanospray噴頭連接，所述nanospray噴頭通過去離子水管路與去離子水源連接。

優選地，還包括中空的軸旋轉臂和支撐臂，所述支撐臂的一端與所述軸旋轉臂連接，所述支撐臂的另一端與所述nanospray噴頭連接，所述控制線和所述氮氣進氣管路均穿過所述軸旋轉臂的內部腔體與所述ESD棒連接，所述去離子水管路先后穿過所述軸旋轉臂和所述支撐臂的內部腔體與所述nanospray噴頭連接。

優選地，所述ESD棒安裝在所述支撐臂的上方。

優選地，所述ESD棒通過連接螺栓安裝在所述支撐臂的上方。

優選地，所述軸旋轉臂和支撐臂為L形一體結構。

優選地，所述控制線通過網絡端口與ESD棒連接。

優選地，所述氮氣進氣管路通過卡套與所述ESD棒連接。

優選地，所述密封罩通過連接螺栓安裝在所述ESD棒上。

本實用新型的有益效果是：本實用新型提供的單片清洗工藝中去靜電噴射裝置，包括：ESD棒和nanospray噴頭，N₂經過ESD棒之后，產生帶有正負電荷的N₂，攜帶有正負電荷的N₂和去離子水同時進入nanospray噴頭并充分混合后，帶有正負電荷的小液滴噴射到晶圓表面，不僅消除了晶圓表面靜電，而且通過清洗去除了晶圓表面的顆粒，實現了對晶圓表面的真正有效的清洗。

附圖說明

圖1是本實用新型提供的單片清洗工藝中去靜電噴射裝置結構示意圖；